AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレイ
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概要
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光インターコネクション等の光源に用いられる、レーザアレイ素子の低コスト化を目的とし、p型基板上へAllnAs酸化層による閉じ込め構造を有する(ACIS)レーザ素子を初めて作製した。まずはじめに、ACISレーザの作製において重要となる、AllnAs被酸化層の酸化条件の検討を行った。その結果、酸化温度500℃、AllnAs層の厚さ100nm、Al組成0.48が最適値であることがわかった。また、本技術を適用し、実際にp型基板上にPACISレーザの作製を行い、しきい値電流4.0mA、スロープ効率0.6W/Aという良好な初期特性が得られ、長期信頼性試験においても3,000時間までの安定した動作を確認した。更に、22チャンネルのレーザアレイ素子を作製し、しきい値電流3.98mA、標準偏差0.42mAが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-24
著者
-
山中 信光
古河電工(株) 横浜研究所
-
岩井 則広
古河電工(株) 横浜研究所
-
粕川 秋彦
古河電工(株) 横浜研究所
-
向原 智一
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電工
-
清水 均
古河電工(株)横浜研究所
-
向原 智一
古河電工(株)横浜研究所
-
井藤 光正
古河電工(株) 横浜研究所
-
荒川 智志
古河電工(株) 横浜研究所
-
山中 信光
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
荒川 智志
古河電気工業(株)横浜研究所
-
荒川 智志
古河電気工業株式会社 光技術研究所
-
岩井 則広
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
井藤 光正
古河電気工業(株)横浜研究所
-
清水 均
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
-
岩井 則広
古河電気工業株式会社
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