1.3μm帯 GaInAsP/InP 引張歪量子井戸レーザ
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概要
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1.3μm帯半導体レーザの低しきい値電流動作を目的とし,活性層にGaInAsP引張歪量子井戸を用いた構造について検討した. X線回折,フォトルミネッセンス測定から,高品質なGaInAsP引帳歪量子井戸が成長されていることを確認した.井戸幅12nm,歪量-1.15%の素子において,しきい値特性の詳細な検討を行った.量子井戸1層あたりの無限共振器長における最低しきい値電流密度は,3層量子井戸構造で100A/cm^2が得られた.単一量子井戸レーザでは150A/cm^2の低しきい値電流密度が得られるなど,狭ストライプ構造を導入することで,1mA以下の低しきい値動作が可能であることを示唆する結果が得られた.実際に高反射膜を形成した埋め込み構造型レーザでの最低しきい値1.6mAが得られるなど,低消費電力を必要とする将来の光加入者用光源として有望である.
- 1995-10-17
著者
-
山中 信光
古河電工(株) 横浜研究所
-
岩井 則広
古河電工(株) 横浜研究所
-
粕川 秋彦
古河電工(株) 横浜研究所
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電工
-
横内 則之
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
横内 則之
古河電工(株)横浜研究所
-
山中 信光
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
岩井 則広
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
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