1.3μm GaInAsP/InP歪量子井戸面発光レーザ
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概要
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1.3μm GaInAsP/InP面発光レーザの特性向上を目指し、イオンアシスト蒸着(IAD)法を導入し、誘電体多層膜ミラーに用いている酸化物誘電体の充填密度の向上を図り、Al_2O_3で、屈折率を1.56から1.63に、SiO_2で1.45から1.47に改善した。このIADによって成膜した多層膜ミラーを用いた1.3μm帯面発光レーザを試作し、多重量子井戸(MQW)面発光レーザで、室温パルス駆動でしきい値電流を10mAまで低減した。また、歪MQW面発光レーザにおいて初めて室温CW発振を実現した。しきい値電流は2.4mAであり、また、36℃までのCW動作を達成した。
- 1996-10-08
著者
-
二ノ宮 隆夫
古河電工(株)横浜研究所
-
横内 則之
RWCP光インターコネクション古河研究室
-
横内 則之
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
内山 誠冶
RWCP光古河研究室古河電工(株)横浜研究所
-
二ノ宮 隆夫
RWCP光古河研究室古河電工(株)横浜研究所
-
内山 誠冶
Rwcp光インターコネクション古河研究室
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