直接接着法によるGaAs基板上の波長1.3μmレーザ
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概要
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多機能光(電気)集積回路を実現するための基盤技術として,異種半導体基板直接接着法が有望視されている.そこで今回基礎検討として, GaAs基板上へ波長1.3μm歪量子井戸レーザの作製を行った.まず,接着後の活性層の光学性を評価した結果,接着界面の影響により生じる活性層へのダメージには,接着温度が最も影響を及ぼす要因であることがわかり,接着温度を500℃以下に下げることでダメージをなくせることがわかった.また,得られた最適条件によりGaAs基板上へ波長1.3μ歪量子井戸レーザを作製した結果, しきい値電流5.7mA,光出力40mW以上の特性が得られた.更に素子の信頼性についても検討を行い, 85℃,5mWで推定寿命10万時間以上が見積もられた.これらの特性は,通常のInP基板上に作製した素子の結果と比べて遜色の無い結果である.
- 1996-12-10
著者
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粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電工
-
岩井 則広
古河電工 (株) 横浜研究所
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横内 則之
古河電工 (株) 横浜研究所
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粕川 秋彦
古河電工 (株) 横浜研究所
-
西片 一昭
古河電工横浜研究所半導体研究センター
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横内 則之
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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山中 信光
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
岩井 則広
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
山中 信光
古河電工 横浜研究所
-
西片 一昭
古河電工 横浜研究所
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