直接接着法によるGaAs基板上の波長1.3μmレーザ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
多機能光(電気)集積回路を実現するための基盤技術として,異種半導体基板直接接着法が有望視されている.そこで今回基礎検討として, GaAs基板上へ波長1.3μm歪量子井戸レーザの作製を行った.まず,接着後の活性層の光学性を評価した結果,接着界面の影響により生じる活性層へのダメージには,接着温度が最も影響を及ぼす要因であることがわかり,接着温度を500℃以下に下げることでダメージをなくせることがわかった.また,得られた最適条件によりGaAs基板上へ波長1.3μ歪量子井戸レーザを作製した結果, しきい値電流5.7mA,光出力40mW以上の特性が得られた.更に素子の信頼性についても検討を行い, 85℃,5mWで推定寿命10万時間以上が見積もられた.これらの特性は,通常のInP基板上に作製した素子の結果と比べて遜色の無い結果である.
- 1996-12-10
著者
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電工
-
岩井 則広
古河電工 (株) 横浜研究所
-
横内 則之
古河電工 (株) 横浜研究所
-
粕川 秋彦
古河電工 (株) 横浜研究所
-
西片 一昭
古河電工横浜研究所半導体研究センター
-
横内 則之
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
山中 信光
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
岩井 則広
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
山中 信光
古河電工 横浜研究所
-
西片 一昭
古河電工 横浜研究所
関連論文
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-3-113 3 分岐ビームスプリッタを用いた広帯域波長モニタの開発
- C-3-43 低結合損失Uターン型lnP-PLCハイブリッド光集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- アクティブ調芯による8チャネルPLC-DFB-LDハイブリッド集積モジュールの作製
- C-3-5 アクティブ調芯による8チャネルPLC-DFB-LDハイブリッド集積モジュールの作製(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- SC-6-5 波長ロッカー内蔵, 高出力 DFB レーザモジュール : 固定波長, 波長可変
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz x 20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- SC-2-9 50GHz間隔波長モニタ内蔵40mW CW DFBレーザモジュール
- アナログ受光モジュール用導波路型受光素子
- 多チャンネル導波路型受光素子アレイ
- 850nm酸化型VCSELにおける横モード制御および温度特性向上
- C-4-2 850nm酸化狭窄型VCSEL10Gbps変調特性
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz×20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz x 20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- C-3-48 Uターン型InP-PLCハイブリッドデバイスの結合損失と反射減衰量の低減(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 短共振器DBR型波長可変レーザモジュールの高速波長ロッカー制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 低消費電力・高効率1060nm面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 長波長帯VCSELの開発
- 光ファイバアンプ用高出力半導体レ-ザ-
- 導波路PDとトランスインピーダンスアンプを内蔵したSCレセプタクル型プラスチック受信モジュール
- モードフィールド変換レーザを有するプラスチックパッケージ型SCレセプタクル光モジュール
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SC-2-2 1300nm 帯 GaInNAsSb 系 VCSEL 及び 850nm 帯 10Gbps-VCSEL
- C-4-14 850nm VCSEL における 10Gbps 伝送の酸化アパーチャ依存性
- C-4-13 850nm 帯 VCSEL を用いた 12ch アレー
- 1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 980nm p基板面発光レーザ
- パッシブアライメント980nmVCSELアレーモジュール
- 980nm InGaP クラッドレーザに於けるビームステアリング現象
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-4-13 Full C-band波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-7 低雑音半導体光増幅器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 光機能化学-光触媒を中心にして-, 藤嶋昭, 瀬川浩司(著), 昭晃堂, (2005-04), A5判, 定価(本体3,200円+税)
- SC-1-10 2 次元フォトニック・クリスタルを用いた垂直共振器面発光レーザ
- 面発光レーザーの光LAN応用と研究開発状況
- 5p-T-10 In/Si(111)の等温、昇温脱離
- 6a-B4-2 低速電子線回折法によるSi(111) : Al吸着相の研究
- 多チャンネル導波路型受光素子アレイ
- 低コスト光モジュ-ル用導波路型受光素子の開発
- 高効率,低暗電流導波路型受光素子
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 光ファイバアンプ用高出力半導体レーザー
- IFVD窓構造による9xx nm高出力半導体レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- IFVD窓構造による9xx nm高出力半導体レーザ
- 半導体導波路によるモノリシック集積波長選択型波長可変光源におけるスペクトル線幅の狭線幅化(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 光通信用長波長帯光半導体
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 波長可変光源の線幅特性の改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-20 1.3μm高性能酸化膜狭窄(ACIS)レーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- C-4-13 狭出射ビームGaInAsPレーザとモニタ用ディテクタ集積素子の反射鏡最適化
- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレイ
- WDM用高出力CW-DFBレーザ : S,C,Lバンドにおける高出力CW-DFBレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- IFVD窓構造による高出力高信頼性915nm半導体レーザ
- レーザー
- 直接接着法によるGaAs基板上の波長1.3μmレーザ
- 1.3μm帯 GaInAsP/InP 引張歪量子井戸レーザ
- TDR 反射鏡を用いた波長 1.3μm 高温特歪量子井戸レーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- ファイバーアンプ励起用高出力半導体レーザー
- 3-14 古河電工における歴史に残すべき技術 : 光ファイバと励起レーザ (3. 企業や研究機関等ごとの歴史に残すべき技術) (電子情報通信分野の歴史に残すべき技術 : 産業界を中心として)
- 光ファイバアンプ励起用半導体レーザ--ポンプレーザの最新技術 (特集 半導体レーザの最新動向)
- EDFA励起用高出力半導体レーザ
- TDR反射鏡を用いた波長1.3μm高温特歪量子井戸レーザ
- TDRミラ-を用いた高温度特性歪量子井戸レ-ザの開発
- MOCVD法による長波長帯GRIN-SCH-MQWレ-ザ
- 光通信用長波長半導体レ-ザの開発
- 光インターコネクション向け高信頼性1060nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 1060nm VCSELの高速変調動作と信頼性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-17 1.55μm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)