長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
自己形成法による、長波長帯InAs量子ドットレーザの高利得化を目的とし、12層までの多層化を検討した。ミラー損失が7-8cm^<-1>以下の領域で基底準位発振し、室温で波長1.21μmにて7A/cm^2/層という、これまでの半導体レーザの報告値の中で、1層当たりの閾値電流密度が最も低い値が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-02
著者
-
横内 則之
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
横内 則之
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
清水 均
ATR波動工学研究所
-
SARAVANAN Shanmugam
ATR波動工学研究所
-
吉田 順自
ATR波動工学研究所
-
井部 紗代子
古河電気工業横浜研究所
-
吉田 順自
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
-
清水 均
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
-
横内 則之
古河電気工業
関連論文
- C-3-43 低結合損失Uターン型lnP-PLCハイブリッド光集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- アクティブ調芯による8チャネルPLC-DFB-LDハイブリッド集積モジュールの作製
- C-3-5 アクティブ調芯による8チャネルPLC-DFB-LDハイブリッド集積モジュールの作製(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 850nm酸化型VCSELにおける横モード制御および温度特性向上
- C-4-2 850nm酸化狭窄型VCSEL10Gbps変調特性
- C-3-48 Uターン型InP-PLCハイブリッドデバイスの結合損失と反射減衰量の低減(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 低消費電力・高効率1060nm面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 長波長帯VCSELの開発
- SMファイバMT-RJ光トランシーバモジュール
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SC-2-2 1300nm 帯 GaInNAsSb 系 VCSEL 及び 850nm 帯 10Gbps-VCSEL
- C-4-14 850nm VCSEL における 10Gbps 伝送の酸化アパーチャ依存性
- C-4-13 850nm 帯 VCSEL を用いた 12ch アレー
- 1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 980nm p基板面発光レーザ
- パッシブアライメント980nmVCSELアレーモジュール
- C-4-7 低雑音半導体光増幅器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 長波長帯面発光レーザの開発 (特集 進化を続ける面発光レーザ)
- 長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 光機能化学-光触媒を中心にして-, 藤嶋昭, 瀬川浩司(著), 昭晃堂, (2005-04), A5判, 定価(本体3,200円+税)
- SC-1-10 2 次元フォトニック・クリスタルを用いた垂直共振器面発光レーザ
- 面発光レーザーの光LAN応用と研究開発状況
- GalnAsP/InP光減衰器集積導波路型受光素子
- GalnAsP/InP光減衰器集積導波路型受光素子
- 低コスト光モジュ-ル用導波路型受光素子の開発
- 高効率,低暗電流導波路型受光素子
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 1.5μm帯AlGaInAs系MQWレ-ザにおける高微分利得特性とキャリア輸送過程
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレイ
- 直接接着法によるGaAs基板上の波長1.3μmレーザ
- 1.3μm GaInAsP/InP歪量子井戸面発光レーザ
- 直接接着法を用いたGaAs基板上の波長1.3μmレ-ザの開発
- 1.3μm GaInAsP/InP面発光レーザ
- 1.3μm帯 GaInAsP/InP 引張歪量子井戸レーザ
- TDR 反射鏡を用いた波長 1.3μm 高温特歪量子井戸レーザ
- 光アンプ励起用250mW1480nmLDモジュール(FOL1404QQシリーズ) (WDM関連技術小特集)
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 1.3μm帯極低しきい値InAsP/InP変調ドープMQWレーザ
- ガスソ-スMBE法による長波長帯材料の結晶成長とその半導体レ-ザへの応用
- 光インターコネクション向け高信頼性1060nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CI-1-4 高信頼・低消費電力1060nm帯面発光レーザ(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-11 低偏波依存利得SOA-PLCハイブリッド集積デバイス(光変調器波導路デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- PLC偏波ダイバーシティ回路を用いたUターン型半導体光増幅器の偏波無依存動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- PLC偏波ダイバーシティ回路を用いたUターン型半導体光増幅器の偏波無依存動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- PLC偏波ダイバーシティ回路を用いたUターン型半導体光増幅器の偏波無依存動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 1060nm VCSELの高速変調動作と信頼性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 1060nm VCSELの高速変調動作と信頼性
- C-4-17 1.55μm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-1 AIGaInAs系BH構造を有するDFBアレイ集積型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)