横内 則之 | 古河電気工業

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 横内 則之

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 横内 則之

  古河電気工業

• 横内 則之

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 長谷川 英明

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 舟橋 政樹

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 舟橋 政樹

  古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター

• 奈良 一孝

  古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所

• 阿久津 剛史

  古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所

• 丸山 一臣

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 清田 和明

  古河電気工業(株)研究開発本部

• 岩井 則広

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 長谷川 淳一

  古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所

• 黒部 立郎

  古河電気工業株式会社

• 粕川 秋彦

  古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部

• 粕川 秋彦

  古河電工

• 木本 竜也

  古河電気工業株式会社

• 小林 剛

  古河電気工業株式会社

• 若葉 昌布

  古河電気工業株式会社

• 小早川 将子

  古河電気工業株式会社

• 岩井 則広

  古河電気工業株式会社

• 粕川 秋彦

  古河電気工業株式会社

• 向原 智一

  古河電気工業株式会社

• 向原 智一

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 清田 和明

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 黒部 立郎

  古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所

• 若葉 昌布

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 小早川 将子

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 橘 正人

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 田村 修一

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 品川 達志

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 粕川 秋彦

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 植田 菜摘

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 岩井 則広

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 有賀 麻衣子

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 品川 達志

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 佐々木 康真

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 椎名 泰一

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 椎名 康一

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 田村 修一

  古河電気工業株式会社

• 有賀 麻衣子

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 清水 均

  ATR波動工学研究所

• SARAVANAN Shanmugam

  ATR波動工学研究所

• 吉田 順自

  ATR波動工学研究所

• 井部 紗代子

  古河電気工業横浜研究所

• ショケット ケントD.

  イリノイ大学アーバナ・シャンペン校マイクロ・ナノテクノロジー研究所

• 丸山 一臣

  古河電気工業株式会社研究開発本部横浜研究所WAチーム

• 石井 宏辰

  古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部

• 石井 宏辰

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 吉田 順自

  古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター

• 清水 均

  古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター

• 小林 剛

  古河電気工業株式会社ファイテイルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部

• 有賀 麻衣子

  古河電気工業株式会社

• 木本 竜也

  古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所

• 岩井 則広

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 田村 修一

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 向原 智一

  古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所

• 小林 剛

  古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所

• 黒部 立郎

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 鍛治 栄作

  古河電気工業株式会社横浜研究所

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著作論文

• C-3-43 低結合損失Uターン型lnP-PLCハイブリッド光集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-5 アクティブ調芯による8チャネルPLC-DFB-LDハイブリッド集積モジュールの作製(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 850nm酸化型VCSELにおける横モード制御および温度特性向上
• C-3-48 Uターン型InP-PLCハイブリッドデバイスの結合損失と反射減衰量の低減(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-7 低雑音半導体光増幅器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
• 光機能化学-光触媒を中心にして-, 藤嶋昭, 瀬川浩司(著), 昭晃堂, (2005-04), A5判, 定価(本体3,200円+税)
• SC-1-10 2 次元フォトニック・クリスタルを用いた垂直共振器面発光レーザ
• 面発光レーザーの光LAN応用と研究開発状況
• C-3-11 低偏波依存利得SOA-PLCハイブリッド集積デバイス(光変調器波導路デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• PLC偏波ダイバーシティ回路を用いたUターン型半導体光増幅器の偏波無依存動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• PLC偏波ダイバーシティ回路を用いたUターン型半導体光増幅器の偏波無依存動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• PLC偏波ダイバーシティ回路を用いたUターン型半導体光増幅器の偏波無依存動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• C-4-17 1.55μm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-1 AIGaInAs系BH構造を有するDFBアレイ集積型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)

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