C-4-1 AIGaInAs系BH構造を有するDFBアレイ集積型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2013-03-05
著者
-
黒部 立郎
古河電気工業株式会社
-
木本 竜也
古河電気工業株式会社
-
横内 則之
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
清田 和明
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
清田 和明
古河電気工業(株)研究開発本部
-
岩井 則広
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
横内 則之
古河電気工業
-
若葉 昌布
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
小林 剛
古河電気工業株式会社
-
若葉 昌布
古河電気工業株式会社
-
小早川 将子
古河電気工業株式会社
-
黒部 立郎
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
鍛治 栄作
古河電気工業株式会社横浜研究所
関連論文
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-3-113 3 分岐ビームスプリッタを用いた広帯域波長モニタの開発
- C-3-43 低結合損失Uターン型lnP-PLCハイブリッド光集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- アクティブ調芯による8チャネルPLC-DFB-LDハイブリッド集積モジュールの作製
- C-3-5 アクティブ調芯による8チャネルPLC-DFB-LDハイブリッド集積モジュールの作製(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- アナログ受光モジュール用導波路型受光素子
- 多チャンネル導波路型受光素子アレイ
- 850nm酸化型VCSELにおける横モード制御および温度特性向上
- C-4-2 850nm酸化狭窄型VCSEL10Gbps変調特性
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- C-3-48 Uターン型InP-PLCハイブリッドデバイスの結合損失と反射減衰量の低減(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 短共振器DBR型波長可変レーザモジュールの高速波長ロッカー制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 低消費電力・高効率1060nm面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 長波長帯VCSELの開発
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SC-2-2 1300nm 帯 GaInNAsSb 系 VCSEL 及び 850nm 帯 10Gbps-VCSEL
- C-4-14 850nm VCSEL における 10Gbps 伝送の酸化アパーチャ依存性
- C-4-13 850nm 帯 VCSEL を用いた 12ch アレー
- 1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 980nm p基板面発光レーザ
- パッシブアライメント980nmVCSELアレーモジュール
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-4-13 Full C-band波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-7 低雑音半導体光増幅器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 光機能化学-光触媒を中心にして-, 藤嶋昭, 瀬川浩司(著), 昭晃堂, (2005-04), A5判, 定価(本体3,200円+税)
- SC-1-10 2 次元フォトニック・クリスタルを用いた垂直共振器面発光レーザ
- 面発光レーザーの光LAN応用と研究開発状況
- GalnAsP/InP光減衰器集積導波路型受光素子
- 多チャンネル導波路型受光素子アレイ
- 高効率,低暗電流導波路型受光素子
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 半導体導波路によるモノリシック集積波長選択型波長可変光源におけるスペクトル線幅の狭線幅化(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレー
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 波長可変光源の線幅特性の改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-20 1.3μm高性能酸化膜狭窄(ACIS)レーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- C-4-13 狭出射ビームGaInAsPレーザとモニタ用ディテクタ集積素子の反射鏡最適化
- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレイ
- 製品技術紹介 次世代高速大容量通信用面発光レーザ
- NEW PHOTONICS TECHNOLOGIES FOR THE INFORMATION AGE : THE DREAM OF UBIQUITOUS SERVICES, R.L. Byer, V.W.S. Chan, M. Ohtsu, K. Hotate, ほか(著), "NEW PHOTONICS TECHNOLOGIES FOR THE INFORMATION AGE : THE DREAM OF UBIQUITOUS SERVICES", S. Sudo and K. Okamoto (編),
- 直接接着法によるGaAs基板上の波長1.3μmレーザ
- 1.3μm GaInAsP/InP歪量子井戸面発光レーザ
- 直接接着法を用いたGaAs基板上の波長1.3μmレ-ザの開発
- 1.3μm GaInAsP/InP面発光レーザ
- 1.3μm帯 GaInAsP/InP 引張歪量子井戸レーザ
- TDR 反射鏡を用いた波長 1.3μm 高温特歪量子井戸レーザ
- 光インターコネクション向け高信頼性1060nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-11 低偏波依存利得SOA-PLCハイブリッド集積デバイス(光変調器波導路デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- PLC偏波ダイバーシティ回路を用いたUターン型半導体光増幅器の偏波無依存動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- PLC偏波ダイバーシティ回路を用いたUターン型半導体光増幅器の偏波無依存動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- PLC偏波ダイバーシティ回路を用いたUターン型半導体光増幅器の偏波無依存動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-10 DFBレーザアレイ集積型波長可変光源のスペクトル線幅特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高出力狭スペクトル線幅DFBレーザアレイ集積型波長可変光源
- C-4-17 1.55μm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-1 AIGaInAs系BH構造を有するDFBアレイ集積型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)