光インターコネクション向け高信頼性1060nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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我々が開発を行っている,高信頼性1060nm帯VCSEL素子について紹介する.ダブルイントラキャビティ構造とInGaAs/GaAs歪量子井戸構造を採用することで,低バイアスでの高速変調特性と低抵抗性の両立を実現している.今回試作した素子の,ビットレートに対する電力損失は0.14mW/Gbpsであり,世界最小の値を記録した.また,3000素子以上を投入した加速通電試験において,81FIT/chという高信頼性を実証することができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
石川 卓哉
古河電気工業(株)
-
高木 智洋
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
-
粕川 秋彦
古河電工
-
築地 直樹
古河電気工業
-
築地 直樹
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
高木 啓史
古河電気工業(株)半導体研究開発センター
-
今井 英
古河電気工業(株)半導体研究開発センター
-
川北 泰雅
古河電気工業(株)半導体研究開発センター
-
平岩 浩二
古河電気工業(株)半導体研究開発センター
-
清水 均
古河電気工業(株)半導体研究開発センター
-
川北 泰雅
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
吉田 順自
古河電気工業株式会社
-
岩井 則広
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
平岩 浩二
古河電気工業 (株) 半導体研究開発センター
-
吉田 順自
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
-
神谷 慎一
古河電気工業株式会社横浜研究所信頼性グループ
-
清水 裕
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
-
鈴木 理仁
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
-
石川 卓哉
古河電気工業株式会社横浜研究所信頼性グループ
-
清水 均
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
-
高木 智洋
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
-
高木 啓史
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
-
今井 英
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
-
岩井 則広
古河電気工業株式会社
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