IFVD窓構造による9xx nm高出力半導体レーザ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2006-12-01
著者
-
粕川 秋彦
古河電気工業株式会社
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
-
粕川 秋彦
古河電工
-
山口 武治
古河電気工業株式会社
-
湊 龍一郎
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
-
山口 武治
古河電工(株)横浜研究所
-
谷口 英広
古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター
-
石井 宏辰
古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター
-
大木 泰
古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター
-
行谷 武
古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター
-
石井 宏辰
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
-
山口 武治
古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター
-
大木 泰
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
-
行谷 武
古河電気工業
-
行谷 武
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
-
谷口 英広
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
関連論文
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-3-113 3 分岐ビームスプリッタを用いた広帯域波長モニタの開発
- SC-6-5 波長ロッカー内蔵, 高出力 DFB レーザモジュール : 固定波長, 波長可変
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz x 20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- C-4-44 25GHz間隔波長モニタ内臓DFBレーザモジュール
- SC-2-9 50GHz間隔波長モニタ内蔵40mW CW DFBレーザモジュール
- アナログ受光モジュール用導波路型受光素子
- 多チャンネル導波路型受光素子アレイ
- 850nm酸化型VCSELにおける横モード制御および温度特性向上
- C-4-2 850nm酸化狭窄型VCSEL10Gbps変調特性
- ハイパワー受光用導波路型フォトダイオード
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz×20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz x 20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 短共振器DBR型波長可変レーザモジュールの高速波長ロッカー制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 低消費電力・高効率1060nm面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 長波長帯VCSELの開発
- 光ファイバアンプ用高出力半導体レ-ザ-
- 導波路PDとトランスインピーダンスアンプを内蔵したSCレセプタクル型プラスチック受信モジュール
- モードフィールド変換レーザを有するプラスチックパッケージ型SCレセプタクル光モジュール
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SC-2-2 1300nm 帯 GaInNAsSb 系 VCSEL 及び 850nm 帯 10Gbps-VCSEL
- C-4-14 850nm VCSEL における 10Gbps 伝送の酸化アパーチャ依存性
- C-4-13 850nm 帯 VCSEL を用いた 12ch アレー
- 1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 980nm InGaP クラッドレーザに於けるビームステアリング現象
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-4-13 Full C-band波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- GalnAsP/InP光減衰器集積導波路型受光素子
- GalnAsP/InP光減衰器集積導波路型受光素子
- C-4-46 高信頼性ハイパワーDFBレーザ
- 多チャンネル導波路型受光素子アレイ
- 高効率,低暗電流導波路型受光素子
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 光ファイバアンプ用高出力半導体レーザー
- IFVD窓構造による9xx nm高出力半導体レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- IFVD窓構造による9xx nm高出力半導体レーザ
- 半導体導波路によるモノリシック集積波長選択型波長可変光源におけるスペクトル線幅の狭線幅化(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 光通信用長波長帯光半導体
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- EDFA励起用高出力レーザ
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 波長可変光源の線幅特性の改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 光ファイバアンプ励起用高出力半導体レーザの現状 (WDM関連技術小特集)
- C-4-20 1.3μm高性能酸化膜狭窄(ACIS)レーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- C-4-13 狭出射ビームGaInAsPレーザとモニタ用ディテクタ集積素子の反射鏡最適化
- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレイ
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- WDM用高出力CW-DFBレーザ : S,C,Lバンドにおける高出力CW-DFBレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- IFVD窓構造による高出力高信頼性915nm半導体レーザ
- レーザー
- 直接接着法によるGaAs基板上の波長1.3μmレーザ
- 1.3μm帯 GaInAsP/InP 引張歪量子井戸レーザ
- TDR 反射鏡を用いた波長 1.3μm 高温特歪量子井戸レーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- ファイバーアンプ励起用高出力半導体レーザー
- 3-14 古河電工における歴史に残すべき技術 : 光ファイバと励起レーザ (3. 企業や研究機関等ごとの歴史に残すべき技術) (電子情報通信分野の歴史に残すべき技術 : 産業界を中心として)
- 光ファイバアンプ励起用半導体レーザ--ポンプレーザの最新技術 (特集 半導体レーザの最新動向)
- EDFA励起用高出力半導体レーザ
- TDR反射鏡を用いた波長1.3μm高温特歪量子井戸レーザ
- TDRミラ-を用いた高温度特性歪量子井戸レ-ザの開発
- MOCVD法による長波長帯GRIN-SCH-MQWレ-ザ
- 光通信用長波長半導体レ-ザの開発
- 光インターコネクション向け高信頼性1060nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 1060nm VCSELの高速変調動作と信頼性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 4-3 1,060nm帯面発光レーザの光インタコネクトへの応用展開(4.光デバイスの最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- 1060nm VCSELの高速変調動作と信頼性
- C-4-17 1.55μm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 1,060nm帯面発光レーザの光インタコネクトへの応用展開
- 光インターコネクション向け1060?帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性
- 光インターコネクション向け1060?帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性