1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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光集積素子( PIC : Photonic Integrated Circuit )は,次世代の光通信システムにおいて,小型かつ低消費電力を実現するためのキーテクノロジーである.単体素子においては,これまでに低消費電力かつ高速変調光源として,AlGaInAs/InP系の埋込ヘテロ構造(BH)レーザが報告されている.しかし,PICに関してはGaInAsP/InP系の報告は多くあるものの,AlGaInAs/InP系BHレーザを用いた報告例はない.我々は高機能PICの実現に向け,1550nm帯 AlGaInAs BH レーザの開発を行い,AlGaInAs/InP系で初めて12ch DFBレーザアレイとSOAを集積した1550nm帯波長可変レーザを作製したので報告する.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-12-06
著者
-
黒部 立郎
古河電気工業株式会社
-
粕川 秋彦
古河電気工業株式会社
-
向原 智一
古河電気工業株式会社
-
向原 智一
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
-
粕川 秋彦
古河電工
-
木本 竜也
古河電気工業株式会社
-
横内 則之
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
清田 和明
古河電気工業(株)研究開発本部
-
岩井 則広
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
横内 則之
古河電気工業
-
黒部 立郎
古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所
-
小早川 将子
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
小林 剛
古河電気工業株式会社
-
若葉 昌布
古河電気工業株式会社
-
小早川 将子
古河電気工業株式会社
-
岩井 則広
古河電気工業株式会社
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