低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ

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概要

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• レーザ素子の温度依存性が小さくなればペルチエ素子が不要となるため、加入者系光ファイバー通信においては特に高い特性温度を持つレーザ素子が要求される。GaInNAs/GaAs系レーザは高い特性温度を持つと報告され、次世代の通信用レーザとして期待される。我々はガスソース分子線エピタキシー法によりSbを微小量含んだ長波長帯GaInNAsSbレーザを開発した。室温発振波長1.26μmのリッジレーザを作製し、極めて低いしきい値電流(12.4mA@25℃)、なお且つ、高特性温度(T_0=157K)で、100℃以上の高温まで連続発振に成功した。また波長1.31μmにおいて、低しきい値電流密度(Jth=570A/cm^2@L=900μm)室温パルス発振を達成した。

• 2002-01-17

著者

• 粕川 秋彦

  古河電気工業株式会社

• 粕川 秋彦

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 粕川 秋彦

  古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部

• 粕川 秋彦

  古河電工

• 清水 均

  古河電気工業(株)半導体研究開発センター

• 熊田 浩二

  古河電気工業(株)横浜研究所半導体研究開発センター

• カシミルス セティアグン

  古河電気工業(株)横浜研究所半導体研究開発センター

• 清水 均

  古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター

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