850nm酸化型VCSELにおける横モード制御および温度特性向上
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概要
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850nmマルチモド酸化型VCSELにおいて,(1)横モード制御 (2)温度特性向上 のための素子構造を提案した。(1)高次横モドに対し選択的に損失を与えるために,中央部に開口部を持つ誘電体薄膜を光出射表面に形成した。この結果,FFPの狭小化,スペクトルの狭小化,ファイバ結合効率の向上が確認された。(2)熱シミュレーションを行い,下部DBRの熱伝導率が素子の熱抵抗に最も支配的であるとの結果を得た。これに基づき,下部DBRの一部を熱伝導率の大きなAlAsで置き換えると共に,酸化狭窄工程でDBRが酸化されないように構造上の工夫をした。この結果,VCSELの高温特性が向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-02-15
著者
-
粕川 秋彦
古河電気工業株式会社
-
橘 正人
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
横内 則之
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
品川 達志
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
-
粕川 秋彦
古河電工
-
植田 菜摘
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
岩井 則広
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
有賀 麻衣子
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
品川 達志
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
佐々木 康真
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
椎名 泰一
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
椎名 康一
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
有賀 麻衣子
古河電工横浜研究所半導体研究センター
-
横内 則之
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
岩井 則広
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
横内 則之
古河電気工業
-
有賀 麻衣子
古河電気工業株式会社
-
岩井 則広
古河電気工業株式会社
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