面発光レーザーの光LAN応用と研究開発状況

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• レ-ザ-学会の論文
• 2001-12-15

著者

• 横内 則之

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 横内 則之

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 横内 則之

  古河電気工業

関連論文

• C-3-43 低結合損失Uターン型lnP-PLCハイブリッド光集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• アクティブ調芯による8チャネルPLC-DFB-LDハイブリッド集積モジュールの作製
• C-3-5 アクティブ調芯による8チャネルPLC-DFB-LDハイブリッド集積モジュールの作製(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 850nm酸化型VCSELにおける横モード制御および温度特性向上
• C-4-2 850nm酸化狭窄型VCSEL10Gbps変調特性
• C-3-48 Uターン型InP-PLCハイブリッドデバイスの結合損失と反射減衰量の低減(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 980nm p基板面発光レーザ
• パッシブアライメント980nmVCSELアレーモジュール
• C-4-7 低雑音半導体光増幅器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
• 光機能化学-光触媒を中心にして-, 藤嶋昭, 瀬川浩司(著), 昭晃堂, (2005-04), A5判, 定価(本体3,200円+税)
• SC-1-10 2 次元フォトニック・クリスタルを用いた垂直共振器面発光レーザ
• 面発光レーザーの光LAN応用と研究開発状況
• GalnAsP/InP光減衰器集積導波路型受光素子
• GalnAsP/InP光減衰器集積導波路型受光素子
• 直接接着法によるGaAs基板上の波長1.3μmレーザ
• 1.3μm GaInAsP/InP歪量子井戸面発光レーザ
• 直接接着法を用いたGaAs基板上の波長1.3μmレ-ザの開発
• 1.3μm GaInAsP/InP面発光レーザ
• 1.3μm帯 GaInAsP/InP 引張歪量子井戸レーザ
• TDR 反射鏡を用いた波長 1.3μm 高温特歪量子井戸レーザ
• C-3-11 低偏波依存利得SOA-PLCハイブリッド集積デバイス(光変調器波導路デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• PLC偏波ダイバーシティ回路を用いたUターン型半導体光増幅器の偏波無依存動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• PLC偏波ダイバーシティ回路を用いたUターン型半導体光増幅器の偏波無依存動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• PLC偏波ダイバーシティ回路を用いたUターン型半導体光増幅器の偏波無依存動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
• C-4-17 1.55μm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-1 AIGaInAs系BH構造を有するDFBアレイ集積型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク