岩井 則広 | 古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
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概要
関連著者
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岩井 則広
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
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粕川 秋彦
古河電工
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粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
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岩井 則広
古河電気工業株式会社
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清水 均
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
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粕川 秋彦
古河電工(株) 横浜研究所
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山中 信光
古河電気工業株式会社横浜研究所
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粕川 秋彦
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
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岩井 則広
古河電工(株) 横浜研究所
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山中 信光
古河電工(株) 横浜研究所
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西片 一昭
古河電工横浜研究所半導体研究センター
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有賀 麻衣子
古河電工横浜研究所半導体研究センター
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横内 則之
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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西片 一昭
古河電工(株) 横浜研究所
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向原 智一
古河電気工業株式会社横浜研究所
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平岩 浩二
古河電気工業(株)半導体研究開発センター
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清水 均
古河電工(株)横浜研究所
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影山 健生
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
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影山 優生
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
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粕川 秋彦
古河電気工業株式会社
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平岩 浩二
古河電工(株) 横浜研究所
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濱 威
古河電工横浜研究所半導体研究センター
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岩井 則広
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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清水 均
古河電気工業(株)半導体研究開発センター
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古河電工横浜研究所半導体研究センター
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古河電工横浜研究所半導体研究センター
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向原 智一
古河電工(株)横浜研究所
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植田 菜摘
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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岩井 則広
古河電工 (株) 横浜研究所
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粕川 秋彦
古河電工 (株) 横浜研究所
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セティアグン カシミルス
古河電工横浜研究所半導体研究センター
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横内 則之
古河電気工業
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黒部 立郎
古河電気工業株式会社
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野村 剛彦
次世代パワーデバイス技術研究組合
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野村 剛彦
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
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横内 則之
古河電気工業株式会社横浜研究所
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野村 剛彦
古河電気工業株式会社横浜研究所
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入野 聡
古河電工(株) 横浜研究所
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野村 剛彦
古河電工(株) 横浜研究所
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入野 聡
古河電工(株)横浜研究所:豊橋技術科学大学工学部
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有賀 麻衣子
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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横内 則之
古河電工 (株) 横浜研究所
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古河電気工業株式会社
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築地 直樹
古河電気工業
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築地 直樹
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
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高木 啓史
古河電気工業(株)半導体研究開発センター
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今井 英
古河電気工業(株)半導体研究開発センター
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川北 泰雅
古河電気工業(株)半導体研究開発センター
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川北 泰雅
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
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清田 和明
古河電気工業(株)研究開発本部
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高木 啓史
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
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今井 英
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
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有賀 麻衣子
古河電気工業株式会社
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小林 剛
古河電気工業株式会社
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若葉 昌布
古河電気工業株式会社
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古河電気工業株式会社
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東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター
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東京工業大学精密工学研究所
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粕川 秋彦
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
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古河電気工業株式会社
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品川 達志
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
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古河電工(株)光技術研究所
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古河電気工業株式会社 横浜研究所
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椎名 泰一
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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有賀 麻衣子
古河電工 (株) 横浜研究所
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植田 菜摘
古河電工 (株) 横浜研究所
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濱 威
古河電工 (株) 横浜研究所
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小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
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小山 二三夫
東京工業大学
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椎名 康一
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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斉藤 要
古河電工(株)横浜研究所
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影山 健生
古河電工横浜研究所半導体研究センター
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岩井 則広
古河電工横浜研究所半導体研究センター
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清水 均
古河電工横浜研究所半導体研究センター
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濱 威
古河電気工業株式会社横浜研究所
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古河電気工業株式会社 横浜研究所
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池永 賀彦
古河電工(株)横浜研究所
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セティアグン カシミルス
古河電工(株)横浜研究所
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有賀 麻衣子
古河電工(株)横浜研究所
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影山 優生
古河電工(株)横浜研究所
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熊田 浩仁
古河電工(株)横浜研究所
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岩田 則広
古河電工(株)横浜研究所
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岩瀬 正幸
古河電気工業 ファイテルフォトニクス研
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山中 信光
古河電工 横浜研究所
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井藤 光正
古河電気工業(株)横浜研究所
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平岩 浩二
古河電気工業 (株) 半導体研究開発センター
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黒部 立郎
古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所
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若葉 昌布
古河電気工業株式会社横浜研究所
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小早川 将子
古河電気工業株式会社横浜研究所
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橘 正人
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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石川 卓哉
古河電気工業(株)
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舟橋 政樹
古河電気工業株式会社横浜研究所
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田村 修一
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
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古河電気工業株式会社横浜研究所
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古河電工(株) 情報システム事業本部
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品川 達志
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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内山 誠治
古河電工 (株) 横浜研究所
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佐々木 康真
古河電工 (株) 横浜研究所
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品川 達志
古河電工 (株) 横浜研究所
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椎名 泰一
古河電工 (株) 横浜研究所
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田村 修一
古河電気工業株式会社
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吉田 順自
古河電気工業株式会社
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池永 賀彦
古河電気工業株式会社横浜研究所
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佐藤 正之
古河電気工業株式会社横浜研究所
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熊田 浩仁
古河電気工業株式会社横浜研究所
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芳賀 祥憲
古河電工 (株) 横浜研究所
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清水 均
古河電工 (株) 横浜研究所
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横内 則之
古河電工(株)横浜研究所
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入川 理徳
古河電工(株)横浜研究所
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清田 和明
古河電気工業株式会社横浜研究所
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舟橋 政樹
古河電工(株)横浜研究所
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井藤 光正
古河電工(株) 横浜研究所
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荒川 智志
古河電工(株) 横浜研究所
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荒川 智志
古河電気工業(株)横浜研究所
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荒川 智志
古河電気工業株式会社 光技術研究所
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西片 一昭
古河電工 横浜研究所
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内山 誠冶
Rwcp光インターコネクション古河研究室
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石井 宏辰
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
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石井 宏辰
古河電気工業株式会社横浜研究所
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吉田 順自
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
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神谷 慎一
古河電気工業株式会社横浜研究所信頼性グループ
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清水 裕
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
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鈴木 理仁
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
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石川 卓哉
古河電気工業株式会社横浜研究所信頼性グループ
-
高木 智洋
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
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舟橋 政樹
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
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小林 剛
古河電気工業株式会社ファイテイルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
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池永 賀彦
古河電気工業株式会社ファイテル製品事業部
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木本 竜也
古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所
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岩井 則広
古河電気工業株式会社横浜研究所
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田村 修一
古河電気工業株式会社横浜研究所
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向原 智一
古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所
-
小林 剛
古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所
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黒部 立郎
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
鍛治 栄作
古河電気工業株式会社横浜研究所
著作論文
- アナログ受光モジュール用導波路型受光素子
- 多チャンネル導波路型受光素子アレイ
- 850nm酸化型VCSELにおける横モード制御および温度特性向上
- C-4-2 850nm酸化狭窄型VCSEL10Gbps変調特性
- 低消費電力・高効率1060nm面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 長波長帯VCSELの開発
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SC-2-2 1300nm 帯 GaInNAsSb 系 VCSEL 及び 850nm 帯 10Gbps-VCSEL
- C-4-14 850nm VCSEL における 10Gbps 伝送の酸化アパーチャ依存性
- C-4-13 850nm 帯 VCSEL を用いた 12ch アレー
- 1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 多チャンネル導波路型受光素子アレイ
- 高効率,低暗電流導波路型受光素子
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレー
- C-4-20 1.3μm高性能酸化膜狭窄(ACIS)レーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- C-4-13 狭出射ビームGaInAsPレーザとモニタ用ディテクタ集積素子の反射鏡最適化
- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレイ
- 製品技術紹介 次世代高速大容量通信用面発光レーザ
- 直接接着法によるGaAs基板上の波長1.3μmレーザ
- 直接接着法を用いたGaAs基板上の波長1.3μmレ-ザの開発
- 1.3μm帯 GaInAsP/InP 引張歪量子井戸レーザ
- TDR 反射鏡を用いた波長 1.3μm 高温特歪量子井戸レーザ
- 光インターコネクション向け高信頼性1060nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-17 1.55μm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-1 AIGaInAs系BH構造を有するDFBアレイ集積型波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)