影山 優生 | 古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

スポンサーリンク

概要

• 影山 健生の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センターの論文著者

関連著者

• 影山 健生

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 影山 優生

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 岩井 則広

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 清水 均

  古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター

• 粕川 秋彦

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 粕川 秋彦

  古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部

• 粕川 秋彦

  古河電工

• 岩井 則広

  古河電気工業株式会社

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 小山 二三夫

  東京工業大学

• 有賀 麻衣子

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• セティアグン カシミルス

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 池永 賀彦

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 西片 一昭

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 伊賀 健一

  東京工業大学精密工学研究所

• 影山 健生

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊賀 健一

  東京工業大学

• 宮本 智之

  東京工業大学

• 高木 啓史

  古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター

• 荒井 昌和

  東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター

• 西山 伸彦

  東京工業大学 精密工学研究所

• 粕川 秋彦

  古河電気工業株式会社

• 粕川 秋彦

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 西片 一昭

  古河電工(株) 横浜研究所

• 岩井 則広

  古河電工(株) 横浜研究所

• 粕川 秋彦

  古河電工(株) 横浜研究所

• 岩井 則広

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 牧野 茂樹

  株式会社日立製作所中央研究所

• 西山 伸彦

  Corning Incorporated

• 西山 伸彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 牧野 茂樹

  東京工業大学精密工学研究所

• 築地 直樹

  古河電気工業

• 築地 直樹

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 高木 啓史

  古河電気工業(株)半導体研究開発センター

• 今井 英

  古河電気工業(株)半導体研究開発センター

• 川北 泰雅

  古河電気工業(株)半導体研究開発センター

• 清水 均

  古河電気工業(株)半導体研究開発センター

• 川北 泰雅

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 濱 威

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 影山 健生

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 熊田 浩仁

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 岩井 則広

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 清水 均

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 清水 均

  古河電工(株)横浜研究所

• 池永 賀彦

  古河電工(株)横浜研究所

• セティアグン カシミルス

  古河電工(株)横浜研究所

• 有賀 麻衣子

  古河電工(株)横浜研究所

• 影山 優生

  古河電工(株)横浜研究所

• 牧野 茂樹

  東京工業大学 精密工学研究所

• 今井 英

  古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター

• 西山 伸彦

  東京工業大学

• 竹内 寛爾

  東京工業大学精密工学研究所

• 平岩 浩二

  古河電気工業(株)半導体研究開発センター

• 平岩 浩二

  古河電気工業 (株) 半導体研究開発センター

もっと見る 閉じる

著作論文

• OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
• OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
• 低消費電力・高効率1060nm面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 長波長帯VCSELの開発
• 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待講演]1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• 長波長帯面発光レーザの開発 (特集 進化を続ける面発光レーザ)
• 製品技術紹介 次世代高速大容量通信用面発光レーザ
• RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸構造の成長

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク