Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

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概要

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Si基板上AlGaN/GaN HFETにおいて、高濃度Cドーピングの影響を明らかにするため、AlGaN/GaN界面に近いGaN層中に、高濃度にCをドーピングしたSi基板上AlGaN/GaN HFETを作製、評価した。結果、オン抵抗を維持したまま、ゲート-ドレイン間距離当たりの耐圧が向上した。また、電流コラプスについても評価を行い、高濃度Cドーピングによる特性の悪化は見られなかった。以上の結果より、GaN層へのCドーピングは低損失パワーデバイス実現のために有効であることが示唆された。
2011-01-06

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