高温動作GaN MESFET
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概要
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ガスソースMBE成長法により高品質のGaNエピタキシャル膜を作成した。更に、GaN MESFETを試作した。FETのオーミック電極にAl/Ti系材料を用い、ゲート電極にPt系材料を用いた。その結果、良好なFET特性が得られた。このFETの耐圧は80V以上である。高温加熱による耐久特性を調べた結果、400℃において1000時間の長時間加熱後もFET特性が劣化せず、安定に保持することが確認された。更に400℃で300時間通電加熱試験を行った結果、FETの電流値は全く変化せず安定していることが確認され、GaN MESFETの高温デバイスとしての高い信頼性が実証された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-06
著者
-
吉田 清輝
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
-
吉田 清輝
古河電気工業(株)
-
鈴木 譲
古河電気工業(株)横浜研究所
-
鈴木 譲
古河電気工業
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