真空一貫プロセスを用いるMOMBE選択成長技術の開発
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- GaNP SQWを用いた青色LED (窒化物・青色光半導体)
- GaNパワートランジスタの開発動向(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 高出力AlGaN/GaN HFETの電源応用
- 高出力および高速スイッチング動作AlGaN/GaN HFET
- GaN系MOSFETのアンペアクラス250℃動作
- CS-9-5 Si基板上の高耐圧スイッチングGaNパワーデバイス開発(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 光照射MOCVD法によるGaNP LED : エピキタシャル成長III
- 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 「結晶成長の科学と技術」小特集にあたって
- SC-5-8 n-p-n GaNバイポーラトランジスタの試作と高温動作
- 耐環境素子としてのGaN電子デバイス
- 高温動作GaN MESFET
- 高温動作GaN MESFET
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作
- ハイパワーAlGaN/GaN HFET(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SC-6-6 高耐圧GaN系FET及びエピ開発
- MOCVD法によるGaN/Siの結晶成長 : エピキタシャル成長III
- ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 光照射MOCVD法によるGaNP成長と光学的評価 : エピタキシャル成長I
- 「結晶の完全性を目指して」小特集にあたって
- LEC InP結晶成長におけるエッヂファセット問題 : 融液成長III
- GaAs表面再構成構造とトリメチルガリウムの表面反応
- AlGaN/GaNパワーFET
- 真空一貫プロセスを用いるMOMBE選択成長技術の開発