大橋 良子 | 慶大理工
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概要
関連著者
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大橋 良子
慶大理工
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椎木 一夫
慶大理工
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正木 進
東京高専
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久保 俊晴
慶大理工
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甲斐 正
慶大理工
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廣中 竜也
慶大理工
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木下 岳司
慶大理工
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杉原 硬
日大薬
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松尾 祐次
慶応理工
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安西 修一郎
慶大理工
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小峰 啓史
慶大・理工
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福島 理恵子
東芝
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椎木 一夫
慶大・理工
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藤井 裕雄
慶大理工
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藤井 裕雄
慶大・理工
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大橋 良子
慶大・理工
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高井 まどか
「応用物理」編集委員会
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高井 まどか
東大
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奥村 次徳
首都大学東京
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奥村 次徳
都立大工
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高井 まどか
東大院工
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上野 浩一
慶大理工
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杉原 硬
松下電器材料研
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大橋 良子
慶応大理工
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木村 清
慶大工
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大橋 良子
慶大工
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坂田 亮
慶大工
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佐野 俊幸
慶大理工
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雨宮 千夏
NECラミリオンエナジー
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石川 貴久枝
ソニー
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大橋 良子
慶応理工
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椎木 一夫
慶応理工
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松尾 祐次
慶大理工
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吉川 貴洋
松下通信
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吉野 正貴
慶大理工
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小石川 和幸
慶大理工
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星野 明
日本真空技術
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高木 憲一
日本真空技術
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大橋 良子
慶大
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町井 清訓
慶大理工
著作論文
- 27aYD-2 ニオブ/黒鉛複合膜における超伝導近接効果II(超伝導)(領域6)
- 31a-PS-31 Embedded Muffin-Tin法による電子状態計算
- 26pC-2 薄膜グラファイト結晶の面内伝導のサイズ効果
- 29a-E-11 黒鉛の音響磁気電気効果
- ECR・IBS法によるパーマロイ薄膜の作製
- 12a-E-1 非晶質炭素膜の垂直電場効果
- 男女共同参画2006年春シンポジウム報告 : 研究開発環境の多様性と評価-企業における現状とその課題-
- 21世紀の技術者・研究者と男女共同参画
- 「親子で楽しむ科学教室」報告
- 24pWF-4 ニオブ/黒鉛複合膜における超伝導近接効果
- 26a-YK-2 Mobility Spectrum解析によるグラファイト薄膜のキャリア密度及び移動度の膜厚依存性
- 26a-YK-1 有限層数黒鉛の電子構造
- 1p-YJ-10 グラファイト薄膜におけるキャリア密度の膜厚依存性の解析
- 1p-YJ-9 第一原理計算による有限層数の黒鉛の電子状態
- 6p-E-2 グラファイト薄膜の電流磁気効果
- 28a-PS-19 第一原理計算による人工格子の巨大磁気抵抗効果
- 28a-PS-12 Ni/Cu人工格子における磁性と電子状態
- 28a-PS-8 Co_3/X_3人工格子の電子状態と巨大磁気抵抗効果
- 2a-A-1 イオンビーム・スパッタリング炭素膜の光学的性質
- 2p-KP-13 イオンビーム・スパッタリング炭素膜の光学的性質
- 30a-N-5 薄い黒鉛結晶の電気伝導における垂直電場効果
- 24aXW-2 ニオブ/黒鉛複合膜における超伝導近接効果(24aXW 超伝導・CDW(近接効果磁性超伝導CDW),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波分野))
- 2p-L2-12 イオンビーム・スパッタリング法による非晶質炭素膜の電気伝導特性(半導体,(アモルファス))
- 1p-FC-3 イオンビーム・スパッタリング炭素膜の電気伝導(1p FC 半導体(アモルファス))
- 1p-D1-1 イオンビーム・スパッタリング炭素膜の構造(1p D1 半導体(アモルファス・ナローギャップ),半導体)