21世紀の技術者・研究者と男女共同参画

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2002-06-10

著者

• 大橋 良子

  慶大理工

• 高井 まどか

  「応用物理」編集委員会

• 高井 まどか

  東大

• 奥村 次徳

  首都大学東京

• 奥村 次徳

  都立大工

• 高井 まどか

  東大院工

関連論文

• 27aYD-2 ニオブ/黒鉛複合膜における超伝導近接効果II(超伝導)(領域6)
• AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の電気的評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 31a-PS-31 Embedded Muffin-Tin法による電子状態計算
• 人材育成
• "Women in Physics"国際会議報告
• C-10-10 テラヘルツ帯オンチップ自己補対アンテナの広帯域特性に対する半導体集積構造の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-11 共鳴トンネルダイオードにおける量子インダクタンスと量子キャパシタンスの評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-12 密度行列のレート方程式解析による共鳴トンネルダイオードの等価回路同定(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• C-10-4 GaAs基板上微小自己補対アンテナのTHz帯放射特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング
• 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• THz帯オンチップ集積型自己補対アンテナの特性解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• B-1-58 スプリットリング/ダブルスタブ共振構造を集積した伝送線路の近傍電磁界測定(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
• C-10-9 半導体基板上自己補対アンテナの給電構造が広帯域特性に及ぼす影響の理論解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• ドライエッチング用アルゴン高速原子ビーム源の残留イオン分析と中性化率評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• B-1-41 左手系伝送線路における漏れ波の周波数及び空間分離性の解析(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
• Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 半導体界面制御 : 先端デバイスと新材料における界面問題2
• 「若手技術者・研究者の多様なキャリアパス」を通して
• 男女共同参画学協会連絡会1周年記念行事分科会「任期付きポストに関して」報告
• 26pC-2 薄膜グラファイト結晶の面内伝導のサイズ効果
• 29a-E-11 黒鉛の音響磁気電気効果
• ECR・IBS法によるパーマロイ薄膜の作製
• MEMS応用に向けたIII族窒化物半導体積層構造の基礎検討
• Pd-窒化物半導体接触を利用した水素ガスセンサの検知メカニズムの検討
• 高温動作Pd/AlGaN/GaN構造水素ガスセンサの検知特性評価
• AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 12a-E-1 非晶質炭素膜の垂直電場効果
• バイオイメージング技術の現状と展望
• 男女共同参画2006年春シンポジウム報告 : 研究開発環境の多様性と評価-企業における現状とその課題-
• 男女共同参画 第3回ミーティング報告 : 若手技術者/研究者の理想と現実 - どのような環境が働きやすいか -
• 21世紀の技術者・研究者と男女共同参画
• 「親子で楽しむ科学教室」報告
• 24pWF-4 ニオブ/黒鉛複合膜における超伝導近接効果
• 26a-YK-2 Mobility Spectrum解析によるグラファイト薄膜のキャリア密度及び移動度の膜厚依存性
• 26a-YK-1 有限層数黒鉛の電子構造
• 1p-YJ-10 グラファイト薄膜におけるキャリア密度の膜厚依存性の解析
• 1p-YJ-9 第一原理計算による有限層数の黒鉛の電子状態
• 6p-E-2 グラファイト薄膜の電流磁気効果
• 28a-PS-19 第一原理計算による人工格子の巨大磁気抵抗効果
• 28a-PS-12 Ni/Cu人工格子における磁性と電子状態
• 28a-PS-8 Co_3/X_3人工格子の電子状態と巨大磁気抵抗効果
• 2a-A-1 イオンビーム・スパッタリング炭素膜の光学的性質
• 2p-KP-13 イオンビーム・スパッタリング炭素膜の光学的性質
• 30a-N-5 薄い黒鉛結晶の電気伝導における垂直電場効果
• キャリア濃度傾斜構造をもつBi_2Te_3系単結晶の育成とその熱電特性の評価
• 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• 超高真空中で作製したフタロシアニン系分子配向膜の電気的性質-その場測定による評価
• 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価
• 24aXW-2 ニオブ/黒鉛複合膜における超伝導近接効果(24aXW 超伝導・CDW(近接効果磁性超伝導CDW),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波分野))
• 2p-L2-12 イオンビーム・スパッタリング法による非晶質炭素膜の電気伝導特性(半導体,(アモルファス))
• 1p-FC-3 イオンビーム・スパッタリング炭素膜の電気伝導(1p FC 半導体(アモルファス))
• 1p-D1-1 イオンビーム・スパッタリング炭素膜の構造(1p D1 半導体(アモルファス・ナローギャップ),半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク