分子性結晶における表面励起子の理論

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 富山大学の論文

著者

• 市村 昭二

  富山大工

• 市村 昭二

  富山大 工

• 市村 昭二

  富山大学工学部

• 上羽 弘

  富山大学工学部電子情報工学科

• 上羽 弘

  富山大学工学部電子工学科

関連論文

• 10a-Q-2 GaSeのフォトルミネッセンスII
• 4a-G-2 GaSeのフォトルミネスセンス
• 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 1p-K-19 V_2O_3の高温転移近傍でのラマン散乱(III)
• GaSe層間化合物の光吸収とXPSスペクトル(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 3a-NGH-6 V_2O_3高温転移近傍におけるラマン散乱による観察
• 2a-NL-11 GaSeインターカレーション化合物の光吸収とXPSスペクトル
• GaSe層間化合物の電気的,光学的性質
• 酸化バナジウムの金属-絶縁体転移
• 2p GE-8 空間電荷制限電流 (SCLC) によるGaSeのtrap-centerの研究
• (0001)面サファイア基板上のGaNの気相エピタキシャル
• 9a-S-5 クロロフィル累積膜の光電特性(II)
• GaSe-SnO_2ヘテロ接合の電気的,光学的特性
• GaNの結晶成長とその電気的性質
• 11p-F-15 半導体における電子-正孔対不安定性
• 5p-Q-4 GaSe-SnO_2ヘテロ接合の電界発光
• 4a-KL-10 GaSeの磁気抵抗効果
• 酸素ラジカルビームを用いたBi系超伝導薄膜のMBE成長
• 1a-CK-5 NMP-TCNQ の帯磁率の温度依存性
• 7p-N-3 GaSeの閉管昇華法結晶成長における温度DIPの効果
• 4a-G-1 Phonon Assisted Optical Transition in GaSe
• 26aWS-10 固体表面からの二光子光電子放出における正孔散乱とファノ干渉の効果(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30a-E-6 インターカレーションGaSeの光学的電気的特性
• 非弾性トンネル電流に誘起された金属表面吸着分子の運動(最近の研究から)
• 非弾性トンネル電流に誘起された金属表面吸着分子の運動
• 29p-P-1 SnO_2多結晶薄膜のEnergy BandのXPSによる考察
• 31a GR-3 半無限1次元系の電子状態密度 : 不純物のある場合
• 19aTF-5 振動走査トンネル分光の理論
• GaAs(001)面上へのGaSe薄膜の成長
• 2a-M-1 GaSe,InSeのエネルギー損失分光
• 30a-K-4 金属フタロシアニンのXPS
• 表面吸着分子の増大赤外吸収
• 5a-NS-4 吸着分子の赤外吸収
• 5a-NS-3 吸着分子のラマン散乱-電子・正孔対励起の役割-
• 吸着状態密度に及ぼす不純物効果
• 2a GC-7 Thionine-TCNQ錯塩のESR
• 分子性結晶混晶の表面励起子
• フレンケル励起子の表面自縛状態
• 半無限混晶における局在電子状態の理論
• 固体表面の素励起--表面ポ-ラロン,表面励起子について
• 5p-AE-4 アントラセン蒸着膜螢光に対する雰囲気効果
• 5p-AE-3 混晶の表面励起子
• 31a-CK-6 クロロフィル三重項状態に対するクエンチャーの効果
• 31a-CK-5 表面励起子のセルフトラッピング
• 6a-P-1 表面励起子の理論 III
• 共役系直鎖分子の非局在化励起
• 有効質量の異方性によるシリコンのピエゾ抵抗の一つのモデルとそのM.O.S.T.'sへの応用
• n型ゲルマニゥムの光ピエゾ抵抗効果
• 2a-NM-4 Si(100)-2×1構造のLEED観察とモデルパラメータの考察
• 28a-P-10 Si(111)-7×7表面構造のRipple Modelによる考察
• 2a GC-5 TMPD・TCNQ錯塩のESR温度依存性
• 2a GC-4 TMPD・TCNQ錯体の電気的特性 (II)
• 5a-AE-3 TMPO・TCNQ錯塩の合成と電気的特性
• 29p-D-8 金属(TCNQ)錯塩のメモリー・スイッチング現象
• 31p-CK-4 アントラセン蒸着膜形成過程と Annealing 効果
• 非晶質基板上でのアントラセン単結晶の蒸着成長
• 2p-NE-2 金属フタロシアニン蒸着膜の形態とアニーリング効果
• 29a-Q-10 Metal-SiPc-Metal型セルの整流特性と光起電力
• 29a-Q-8 Metal-光合成色素-Metal型セルの整流作用と光起電力効果
• 29a-Q-7 真空蒸着法によるアントラセン単結晶の成長
• 表面非線形分光の可能性を探る
• 表面多光子分光法の可能性を探る(第58回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
• 走査トンネル顕微鏡を用いた単一吸着分子の非弾性トンネル分光理論
• 29aZE-4 非弾性トンネル分光におけるスペクトル形状
• 27aTB-10 光支援トンネリングの理論
• 3p-C4-12 金属表面吸着子の逆光電子分光
• 27p-D-12 色素分子の螢光・ラマン散乱における下地金属依存
• Si(100)-2×1面上におけるGe薄膜の初期成長過程
• 3p-S-9 吸着分子の光電子スペクトルと振動状態
• Si (100) -2×1 面上におけるGe薄膜の初期成長過程
• 5a-E-9 Si(100)-2×1面上でのGe薄膜の初期成長過程
• 2p-E-6 脱着過程におけるエネルギー散逸
• 2a-TC-8 金属表面に吸着した色素のけい光とラマン散乱
• Si(111)7×7および(100)2×1清浄表面におけるGeの初期成長過程と超構造(表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発,科研費研究会報告)
• 13a-Y-4 半導体表面に吸着した分子のラマン散乱
• 27p-Y-8 LEED/AESによるGe on Siの観察
• 表面・界面研究におけるラマン分光-2-理論 (赤外・ラマン・振動-1-基礎と最近の進歩)
• Si (111) 7×7面におけるGe薄膜の成長様式と5×5超構造
• 5p-P-9 Ge,Si-フタロシアニンの電気的特性(3)
• 5p-K-2 Si-Ge化合物半導体のピエゾ抵抗特性
• 分子性結晶における表面励起子の理論
• 励起子のプラズモン-フォノンサイドバンド
• 半導体における電子一正孔対の不安定性
• 有限要素法による二次元励起子
• 8p-F-7 有限要素法による二次元励起子
• 6a-R-7 NMP-TCNQ電荷移動複合体の電気的特性
• 5a-Q-8 分子性結晶における表面励起子
• 3a-N-4 アントラセン蒸着膜の蛍光偏光特性及びElectroluminescence特性
• 14p-Y-6 励起子の連成振動サイドバンド
• 6a-KF-3 アントラセン蒸着膜の電気的および光学的特性(その1)
• 5p-KF-14 Si,Ge配位フタロシアニンの電気的特性(その1)
• 25a-K-3 有機電荷移動錯体の光電特性I
• 25a-G-2 GaSe-ZnSeヘテロ接合の光電特性II
• 3p GC-3 真空蒸着によるアントラセン島集団の結晶性
• 2a GC-6 Thionine-TCNQ錯塩の伝導度の温度依存性
• 5a-AE-2 NMP・ハロゲン錯体の電気的特性
• 10p-S-9 アントラセン蒸着膜の低温光学特性
• 10p-S-2 Si,Ge-フタロシアニンの電気的,光学的性質
• アントラセン蒸着膜の光学的特性と電場発光(1)
• 4a-KP-8 血液循環系モデルの数理的解折

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク