深澤 義道 | 新日本無線株式会社技術開発本部

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概要

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関連著者

• 深澤 義道

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 伏見 浩

  新日本無線(株)

• 深澤 義道

  新日本無線株式会社

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 脇 英司

  新日本無線株式会社

• 脇 英司

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 深澤 義道

  新日本無線株式会社研究所

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社 技術開発本部

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• Egawa T

  Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• Egawa Takashi

  Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University

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著作論文

• C-10-5 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおけるバッファ層の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御 (電子デバイス)
• ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響
• C-10-8 ECRスパッタ積層SiN/AlGaN/GaN HFETにおける蓄積電荷の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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