C-10-8 ECRスパッタ積層SiN/AlGaN/GaN HFETにおける蓄積電荷の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 2011-08-30
著者
-
伏見 浩
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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脇 英司
新日本無線株式会社
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伏見 浩
新日本無線(株)
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深澤 義道
新日本無線株式会社技術開発本部
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深澤 義道
新日本無線株式会社
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脇 英司
新日本無線株式会社技術開発本部
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伏見 浩
新日本無線株式会社 技術開発本部
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