AlGaN/GaN HFET のMIMゲート構造による界面電荷の制御
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
-
C-2-27 76GHz帯フリップチップガン発振器の温度特性改善(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
-
C-2-17 76GHz帯フリップチップガンVCO(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
-
C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造に対する窒素プラズマ処理の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
低温成長GaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFET
-
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
-
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
-
フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
-
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
GaAs系HBTの信頼性と結晶欠陥の相関
-
高濃度炭素ドープGaAs中の水素および炭素関連欠陥による通電劣化
-
高濃度炭素ドープGaAs中の水素および炭素関連欠陥による通電劣化
-
1p-T-5 電子励起下におけるGaAs中の炭素・水素結合の不安定化
-
少数キャリア注入による GaAs ダイオードの水素誘起劣化
-
C-6-8 炭素によるSiドープGaNの高抵抗化機構(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
-
C-10-3 ECRスパッタを用いた絶縁ゲートAlGaN/GaN HFETのDC特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C-10-5 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおけるバッファ層の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響
-
C-10-9 炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層を用いたAlGaN/GaN HFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C-10-8 ECRスパッタ積層SiN/AlGaN/GaN HFETにおける蓄積電荷の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
-
AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
-
AlGaN/GaN HFET のMIMゲート構造による界面電荷の制御
-
AlGaN/GaN HFET に対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク