高濃度炭素ドープGaAs中の水素および炭素関連欠陥による通電劣化
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概要
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GaAs系HBTにおける劣化減少に関して、特に小数キャリア注入(デバイス動作)により定常的に形成される電子励起状態下での高濃度炭素ドープGaAs中の水素および炭素関連欠陥の状態変化に関与した劣化機構を述べる。水素不純物に起因する通電劣化が荷電状態効果による水素・炭素結合の分解促進であることを、また、炭素関連欠陥に起因する通電劣化が再結合促進欠陥反応による格子間炭素の拡散促進であることを、それぞれ議論する。さらに、劣化過程の解析に有限の点欠陥濃度を仮定したモデルを提案し、その妥当性を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-17
著者
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