微小共振器における電子・光子バンドギャップエンジニアリング
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概要
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量子電磁力学の教えを室温において享受する上で, 材料系に起因する基本的限界がある.この限界を打破するには, 発光始状態である電子・正孔再結合に関与する電子状態密度, 並びに発光終状態である光子状態密度の双方を制御する必要がある.これが本論文で議論する電子・光子バンドギャップエンジニアリングの本質であり, Si:Erを発光層とするSi/SiO_2系1次元微小空洞共振器構造における最近の進展について紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-25
著者
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和田 一実
マサチューセッツ工科大
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和田 一実
マサチューセッツ工科大学材料理工学科
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ファン シャンフイ
マサチューセッツ工科大学物理学科
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チェン トーマス
マサチューセッツ工科大学材料理工学科
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ジョナポラス ジョン
マサチューセッツ工科大学物理学科
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キマリング ライオネル
マサチューセッツ工科大学材料理工学科
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