小野 悟 | 新日本無線株式会社
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概要
関連著者
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小野 悟
新日本無線株式会社
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中川 敦
新日本無線株式会社研究所
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中川 敦
新日本無線株式会社
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中川 敦
新日本無線
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中川 敦
新日本無線株式会社 研究所
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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出口 忠義
新日本無線株式会社研究所
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出口 忠義
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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脇 英司
新日本無線株式会社
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江川 孝志
名古屋工業大学
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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杉山 隆啓
新日本無線株式会社研究所
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鎌田 厚
新日本無線
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山下 明一
新日本無線株式会社研究所
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西守 英二
新日本無線株式会社研究所
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杉山 隆啓
新日本無線株式会社
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西守 英二
新日本無線株式会社
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寺田 豊
名古屋工業大学
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川口 清
新日本無線株式会社研究所
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迫田 洋士
新日本無線株式会社 研究所
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江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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迫田 洋士
新日本無線株式会社
著作論文
- 低温成長GaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFET
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- C-12-45 スペクトル拡散通信用 CCD 相関器の試作
- C-12-51 スペクトル拡散通信用3GChip/s CCD相関器の試作および評価(C-12. 集積回路C(ワイヤライン),一般セッション)