C-12-45 スペクトル拡散通信用 CCD 相関器の試作
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-03
著者
-
川口 清
新日本無線株式会社研究所
-
杉山 隆啓
新日本無線株式会社研究所
-
中川 敦
新日本無線株式会社研究所
-
中川 敦
新日本無線株式会社
-
小野 悟
新日本無線株式会社
-
中川 敦
新日本無線
-
西守 英二
新日本無線株式会社研究所
-
中川 敦
新日本無線株式会社 研究所
-
杉山 隆啓
新日本無線株式会社
-
西守 英二
新日本無線株式会社
関連論文
- フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-27 76GHz帯フリップチップガン発振器の温度特性改善(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-17 76GHz帯フリップチップガンVCO(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-90 GaAsフリップチップダイオードを用いた76GHz帯レーダモジュール
- C-2-13 超音波接合技術を用いた38GHz帯GaAsフリップチップガン発振器の試作
- C-2-9 GaAsフリップチップSBDを用いた76 GHz帯平面回路型シングルバランスミキサ
- 77GHz帯InPフリップチップガン発振器
- 低温成長GaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFET
- CS-9-4 リセスゲート構造を有するLT-GaN/AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)