AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
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概要
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平面回路上にガンダイオードを搭載した新型の発振器について報告する。これによって、車載レーダ、無線LAN等のミリ波の応用技術に必要な性能を満足した発振器の低コスト化が実現できる。この発振器は、新しく開発したフリップチップ型のガンダイオードをマイクロストリップ発振回路上に搭載したもので、基板には放熱性に優れたAlNを用いている。特性は、出力63.1mW、発振周波数58.733GHz、効率は2.57%を得た。また位相雑音は100kHz離調で87.67dBc/Hzであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-21
著者
-
出口 忠義
新日本無線株式会社研究所
-
中川 敦
新日本無線株式会社研究所
-
渡辺 健一
新日本無線株式会社研究所
-
渡辺 健一
新日本無線 研
-
中川 敦
新日本無線株式会社
-
出口 忠義
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
-
小池 誠二
新日本無線株式会社技術開発本部
-
木村 親夫
新日本無線株式会社技術開発本部
-
中川 敦
新日本無線
-
木村 親夫
新日本無線株式会社
-
木村 親夫
新日本無線(株)技術本部
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