コプレーナ線路を用いたV帯フリップチップガン発振器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-07
著者
-
出口 忠義
新日本無線株式会社研究所
-
中川 敦
新日本無線株式会社研究所
-
渡辺 健一
新日本無線株式会社研究所
-
迫田 洋士
新日本無線株式会社 研究所
-
渡辺 健一
新日本無線 研
-
中川 敦
新日本無線株式会社
-
出口 忠義
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
-
中川 敦
新日本無線
-
中川 敦
新日本無線株式会社 研究所
-
迫田 洋士
新日本無線株式会社
関連論文
- フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-27 76GHz帯フリップチップガン発振器の温度特性改善(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-17 76GHz帯フリップチップガンVCO(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-90 GaAsフリップチップダイオードを用いた76GHz帯レーダモジュール
- C-2-13 超音波接合技術を用いた38GHz帯GaAsフリップチップガン発振器の試作
- C-2-9 GaAsフリップチップSBDを用いた76 GHz帯平面回路型シングルバランスミキサ
- 77GHz帯InPフリップチップガン発振器
- C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造に対する窒素プラズマ処理の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 低温成長GaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFET
- CS-9-4 リセスゲート構造を有するLT-GaN/AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- コプレーナ線路を用いたV帯フリップチップガン発振器
- フリップチップ実装を用いたAIN基板上のV帯プレーナー構造ガンVCO
- AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- C-12-45 スペクトル拡散通信用 CCD 相関器の試作
- C-2-27 60GHz帯GaAsフリップチップガン発振器の信頼性評価
- フリップチップ実装を用いたAIN基板上のV帯プレーナー構造ガンVCO
- AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
- フリップチップガンタイオード
- AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
- フリップチップ実装を用いたAlN基板上のV帯プレーナー構造ガンVCO
- C-12-51 スペクトル拡散通信用3GChip/s CCD相関器の試作および評価(C-12. 集積回路C(ワイヤライン),一般セッション)
- C-12-20 4次OTA-C複素バンドパスフィルタの試作
- スペクトル拡散通信におけるCCD相関器の検討
- スペクトル拡散通信におけるCCD相関器の検討