強誘電体材料における抵抗スイッチ現象(新型不揮発性メモリ)
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概要
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外部からの電気信号により抵抗が大きく変化する現象(抵抗スイッチ現象)がTi, Mn, Ni等の酸化物において観測され,次世代不揮発性メモリのResistive RAM (ReRAM)材料として注目されている.我々は,ECRスパッタ法により成膜したBiTiO膜で抵抗スイッチ現象を確認した.さらにBiTiO膜を上下電極で挟んだ構造を作製して電圧(DC,パルス)を印加することでスイッチ現象が発現させ,そのメモリ保持特性とOn/Off特性について調べた.その結果,BiTiO膜は,現行のSiプロセスに整合し,極めて有用な不揮発性メモリ材料であることを確認した.また,BiTiO膜における抵抗スイッチ現象に対するモデルの考察と強誘電性との関連について考察した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-07
著者
-
酒井 英明
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
榎本 陽一
NTTアドバンステクノロジー(株)
-
篠島 弘幸
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
神 好人
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
嶋田 勝
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
木内 幹保
NTTアフティ株式会社
-
篠島 弘幸
日本電信電話(株)nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
榎本 陽一
Nttアドバンステクノロジ株式会社
-
篠島 弘幸
Nttマイクロシステムインテグレーション研
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