液相成長YBCO膜の臨界電流と22GHz表面抵抗(材料/一般)
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概要
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MgO(100)基板の上に液相成長により形成されたYB_2C_3O_<7-σ>(YBCO)薄膜の臨界電流特性評価を行った。基板から離れた表面領域のみの電界電流特性評価を行ったことに本報告の特徴がある。従来、薄膜の臨界電流は一般にバルクの場合よりも大きな臨界電流密度を得ていたが、その原因は基板による何らかの影響によるピンニング効果と考えられていた。本報告では表面側から深さ1ミクロン程度の領域のみを酸素アニールし、基板の影響をなるべく少ない領域の臨界電流密度を測定した。X線回折と22GHzマイクロ波表面抵抗のデータも合わせて報告する。その結果、11ミクロン膜厚の液相成長膜の表面領域における臨界電流密度は液体窒素温度で平方センチあたり10の6乗台の大きな値であることが分った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-07-11
著者
-
平林 泉
超電導工学研究所
-
榎本 陽一
超電導工学研究所
-
平林 泉
SRL-ISTEC
-
鈴木 克己
超電導工学研究所
-
鈴木 克己
超伝導工学研究所
-
野村 克己
日立電線(株)
-
榎本 陽一
NTTアドバンステクノロジー(株)
-
和泉 輝夫
超伝導工学研究所
-
平林 泉
超伝導工学研究所
-
鈴木 克巳
超電導工学研究所
-
鈴木 克巳
(株)日立メディコ技術研究所
-
野村 克己
日立電線
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