ハイメサ導波路を用いた半導体アレイ導波路格子へのスポットサイズ変換集積
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概要
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半導体アレイ導波路格子(AWG)の実用化には、最大の損失要因であるファイパーとの結合損失の低減と、結合トレランスの拡大が必要不可欠である。今回ハイメサ導波路構造に適した、簡易な構造のスポットサイズ変換を作製し、変換損失が1.5dB/facet以下の値が得られることを明らかにした。また、このスポットサイズを集積したアレイ導波路格子を作製し、ファイバー結合トレランスは約±2μmに拡大され、最小チャンネルでの挿入損失7dB、偏波依存損失が平均0.2dB、チャンネルクロストークー27dB以下と良好な素子特性が得られ、スポットサイズ変換の集積が素子特性に悪影響をおよばさないことを確認した。
- 1999-05-13
著者
-
奥 哲
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
Nttフォトニクス研究所
-
神徳 正樹
NTT フォトニクス研究所
-
奥 哲
NTT フォトニクス研究所
-
門田 好晃
NTT フォトニクス研究所
-
吉國 裕三
NTT フォトニクス研究所
-
門田 好晃
Nttフォトニクス研究所:nttエレクトロニクス
-
神徳 正樹
Ntt フォトニクス研
-
奥 哲
Ntt フォトニクス研
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