1480-1510nm帯高濃度Tm添加光ファイバ増幅器
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概要
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1480-1510nm帯(S帯)Tm添加フッ化物光ファイバ増幅器(TDFA)の開発と高効率化に成功した。S帯TDFAを実現するために高濃度Tm添加による利得シフト法を考案した。これは、Tmをファイバのコアに高濃度添加することにより、Tmイオン間のクロス緩和を発生させ、利得シフトに必要な低反転分布を形成する方法である。種々の添加濃度に対し増幅始準位(^3H_4)の蛍光寿命を測定した結果、添加濃度の増加に伴い蛍光寿命が減少しており、クロス緩和の発生を実験的に確認した。さらに高濃度Tm添加TDFAの作製および評価を行った結果、S帯アンプの実現を確認し、高濃度Tm添加法による利得シフトの有効性を実証した。また、高効率化の検討を行い、励起波長として1.0μmより1.4μmの方が、アンプ構成として単一透過型より反射型の方が高効率化に有効であることが明らかにした。1.4μm励起、反射型構成を導入して設計したカスケード型TDFAでは変換効率42%を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-08
著者
-
清水 誠
Nttエレクトロニクス株式会社
-
青笹 真一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
阪本 匡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
西田 好毅
NTTフォトニクス研究所
-
鹿野 弘二
NTTフォトニクス研
-
清水 誠
NTTフォトニクス研
-
金森 照寿
NTTエレクトロニクス株式会社, 光ファイバモジュール部
-
青笹 真一
NTTフォトニクス研究所
-
増田 浩次
NTTフォトニクス研究所
-
阪本 匡
NTTフォトニクス研究所
-
鹿野 弘二
函館工業高等専門学校物質工学科
-
金森 照寿
Nttエレクトロニクス株式会社 光ファイバモジュール部
-
阪本 匡
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
西田 好毅
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
金森 照寿
NTTエレクトロニクス株式会社
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