1.4μm帯Tm-Ho共添加ZBLYAN光ファイバアンプの増幅特性
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概要
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Tmを活性イオンとした1.4μm帯光ファイバアンプが検討されている。Tmの1.4μm帯に対応する^3H_4-^3F_4の4準位誘導放出遷移においては、上準位寿命(1.7ms)が下準位寿命(11ms)より短いため反転分布の形成が困難である。これを解決する方法として我々はこれまでHo共添加し、図1に示すようなエネルギー移動を利用して下準位寿命を短くすることが有効であることを明らかにしてきた。本報告においてはこの光ファイバアンプの、小信号特性、利得スペクトル、雑音指数、励起スペクトルについて報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
須藤 昭一
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
清水 誠
Nttエレクトロニクス株式会社
-
山田 誠
NTT光エレクトロニクス研究所
-
大石 泰丈
Nttエレクトロニクス株式会社 光ファイバモジュール部
-
金森 照寿
NTT光エレクトロニクス研究所
-
大石 泰丈
NTT光エレクトロニクス研究所
-
清水 誠
NTT光エレクトロニクス研究所
-
阪本 匡
NTT光エレクトロニクス研究所
-
照沼 幸雄
NTT光エレクトロニクステクノロジー
-
照沼 幸雄
Ntt光エレクトロニクス研究所
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