Yb,Nd共添加YAG埋込み導波路型レーザーの作製
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概要
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YAG基板上への液相エピタキシャル成長とArイオンビームエッチングによるコアリッジ加工を用いてYb,Nd共添加YAG埋込み導波路を作製し、導波路型レーザーとしての特性を評価した。作製した導波路は、単一モード動作を示した。また、NdからYbへの"energy transfer"の効果により、Ndの吸収波長0.81μm励起でYbの1.03μmのレーザー発振が確認された。この際、レーザー発振に必要な入射光強度のしきい値は235mW、スロープ効率は13%であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-06-22
著者
-
下小園 真
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
下小園 真
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
須藤 昭一
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
杉本 直登
NTTフォトニクス研究所
-
加藤 雄二郎
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
大石 泰丈
Nttエレクトロニクス株式会社 光ファイバモジュール部
-
館 彰之
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテクやレーション研究所
-
大石 泰丈
NTT光エレクトロニクス研究所
-
杉本 直登
NTT光エレクトロニクス研究所
-
館 彰之
NTT光エレクトロニクス研究所
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