C-3-32 テルライトガラスを用いた高非線形性ホーリファイバ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-10
著者
-
森 淳
Nttフォトニクス研究所
-
加藤 正夫
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
栗原 隆
Nttフォトニクス研究所
-
栗原 隆
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
圓佛 晃次
Nttフォトニクス研究所複合光デバイス研究部
-
藤浦 和夫
NTTフォトニクス研究所複合光デバイス研究部
-
清水 誠
Nttエレクトロニクス株式会社
-
森 淳
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
加藤 正夫
NTTフォトニクス研
-
鹿野 弘二
NTTフォトニクス研
-
清水 誠
NTTフォトニクス研
-
藤浦 和夫
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
森 淳
Nttフォトニクス研究所複合光デバイス研究部
-
鹿野 弘二
函館工業高等専門学校物質工学科
-
栗原 隆
Ntt 光エレクトロニクス研
-
栗原 隆
Ntt光エレ研
-
藤浦 和夫
Nttフォトニクス研究所 先端光エレクトロニクス研究部
-
圓佛 晃次
NTTフォトニクス研究所
関連論文
- 含フッ素ポリイミドによる光導波路フィルムの特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- C-3-56 全フッ素化ポリイミドを用いた3波WDMフィルタのモジュール化と温湿度特性(C-3. 光エレクトロニクス(ポリマー導波路), エレクトロニクス1)
- C-3-55 高屈折率差フッ素化ポリイミドフィルム光導波路の曲げ特性(C-3. 光エレクトロニクス(ポリマー導波路), エレクトロニクス1)
- C-3-60 全フッ素化ポリイミド光導波路の特性[III] : 3波WDMフィルタの温度および湿度特性(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-59 全フッ素化ポリイミド光導波路の特性[II] : シリコンならびにポリイミド基板を用いて作製されたフィルム導波路(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-3-58 全フッ素化ポリイミド光導波路の特性[I] : 光配線用フィルム光導波路の曲げ特性(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 積層高分子導波路ホログラムROM
- 光通信デバイス用ポリマー光学材料(有機材料・一般)
- 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- B-10-84 ファブリペロー電気光学変調器を用いた高安定な40GHzパルス列の発生(B-10. 光通信システムB(光通信))
- C-3-42 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[IV] : ポリイミドWDMを用いたスケーラブルネットワーク(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-41 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[III] : ポリイミド8ch-CWDMとADM(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-40 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[II] : 全フッ素化ポリイミドを用いた光導波路とCWDMへの適用(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-39 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[I] : 光学用ポリイミド基板と光導波路への適用(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
- KTN結晶導波路を用いた高効率位相変調器
- KTN結晶導波路を用いた高効率位相変調器(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- 有機ホウ素ポリマーを用いた二光子吸収型光メモリ装置
- 二段階吸収型ホログラフィック記録材料
- 有機ホウ素ポリマーの二光子吸収結合断裂
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体II(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- C-3-112 ポリマ導波路型光送受信モジュールの耐環境性
- EMD2000-48 / CPM2000-63 / OPE2000-60 / LQE2000-54 高分子光導波路を用いたAWG型波長可変フィルタの高速・広帯域動作
- シリコーン熱光学波長可変フィルター(3) : 三角形状薄膜ヒーター加熱による応答速度の向上および選択波長の広帯域化
- C-3-45 タンデムMZI同期構成を用いた低リップル高矩形帯域AWG(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ガラス表面処理法の検討
- C-3-110 テルライトフォトニッククリスタルファイバにおけるエルビウムの増幅作用による非線形効果の増強(C-3. 光エレクトロニクス(ホーリーファイバ), エレクトロニクス1)
- C-3-32 テルライトガラスを用いた高非線形性ホーリファイバ
- テルライトガラスを用いた高非線形性ホーリファイバの設計(次世代光ファイバ,機能性光ファイバ,フォトニック結晶ファイバ,光計測,光伝搬,光信号処理,一般)
- テルライトガラスを用いた高非線形性ホーリファイバの設計(次世代光ファイバ,機能性光ファイバ,フォトニック結晶ファイバ,光計測,光伝搬,光信号処理,一般)
- 二段階吸収型ホログラフィック記録材料
- 二段階吸収型ホログラフィック記録材料
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体II(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体II(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体II(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- KTN結晶導波路を用いた高速光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- CO_2レーザ照射を用いたテルライトファイバカプラの作製(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- CO_2レーザ照射を用いたテルライトファイバカプラの作製(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- B-13-30 全光スイッチ用テルライトファイバカプラの作製(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- B-13-25 テーパテルライトファイバを用いたSC光発生の研究(B-13.光ファイバ応用技術,一般講演)
- 亜テルル酸リチウムの熱分析的挙動
- C-3-68 3段構成を有する広帯域・利得等化型テルライトEDFA
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- オリゴチオフェンを用いた二段階吸収ホログラフィック記録媒体(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- C-3-117 アンプ用テルライトファイバモジュールの信頼性
- 1581-1616nmに増幅帯域を有するテルライトEDFA
- 1.58-μm帯Er^添加テルライトファイバ増幅器の温度依存性
- 導波路ホログラムメモリにおける多層再生特性
- 導波路ホログラムメモリにおける多層再生特性 (光記録・情報記録材料,一般)
- 導波路ホログラムメモリにおける多層再生特性 (光記録・情報記録材料,一般)
- B-10-67 ラマンソリトン波における中心周波数の不安定性に関する検討(B-10. 光通信システムB(光通信), 通信2)
- ラマンソリトン効果を用いた全光型光信号処理による非同期でのエラーフリー伝送(センサ,一般)
- C-4-27 ラマンソリトン効果を用いたプログラマブル多波長光源
- 光ファイバ中でのうマンソリトン効果(自己周波数シフト)を用いた光信号処理デバイスの開発
- B-10-178 石英系のシングルモードファイバーコイルを用いた高次分散(分散スロープ)補償器
- KTN結晶導波路を用いた高効率位相変調器(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- KTN結晶導波路を用いた高効率位相変調器(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- KTN結晶導波路を用いた高効率位相変調器(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- C-3-90 KTN 結晶スラブ導波路の電気光学効果
- C-3-28 KTN 結晶導波路を用いた低電圧駆動 2 X 2 電気光学スイッチ
- KTN結晶導波路を用いた高速光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- KTN結晶導波路を用いた高速光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- KTN結晶導波路を用いた高速光スイッチ(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- SC-10-5 ポリマ導波路を用いた波長可変フィルター・光路選択スイッチ
- シリコーン樹脂を用いた熱光学波長可変フィルターモジュールの光学特性
- シリコーン樹脂を用いた熱光学波長可変フィルターモジュールの光学特性
- C-3-120 シリコーン熱光学波長可変フィルター(2) : フィルターモジュールの特性
- A-6-8 積層導波路ホログラムメモリ用の2/16記録符号
- 含フッ素ポリイミドによる光導波路フィルムの特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 含フッ素ポリイミドによる光導波路フィルムの特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- テルライトラマンアンプ (特集 光ファイバ増幅技術とその応用)
- 広帯域希土類添加ファイバ増幅技術--C帯,L帯の広帯域化 (特集 光ファイバ増幅技術とその応用)
- 全フッ素化ポリイミドを用いた光導波路の作製と特性(光機能有機材料・デバイス, 光非線形現象, 一般)
- 全フッ素化ポリイミドを用いた光導波路の作製と特性(光機能有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- C-3-2 集積型8チャネル光OFDM信号分離回路を用いた160Gbit/s信号分離実験(光信号処理・補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-13-3 三角形状位相シフタを用いたポリマー熱光学波長可変フィルタ動作の低消費電力化および広帯域化
- 超100Gbit/s級OEICに向けた光インターフェースとしてのチップ上光配線構造
- 超100Gbit/s級OEICに向けた光インタフェースとしてのチップ上光配線構造
- Er^添加テルライトファイバ増幅器
- C-3-58 広帯域タンデムMZI同期AWGの群遅延リプル相殺法(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-53 PLCスラブスターカプラ型光DFT回路を用いた光OFDM信号分離デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-29 石英PLC-LNハイブリッド集積を用いた多値数可変変調器(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- BS-9-4 全光スイッチのためのテルライトファイバデバイス作製(BS-9.非石英系ガラス光ファイバの開発とその応用,シンポジウムセッション)
- タンデムMZI前置干渉計を用いたAWGの広帯域化
- タンデムMZI前置干渉計を用いたAWGの広帯域化(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- タンデムMZI前置干渉計を用いたAWGの広帯域化(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- タンデムMZI前置干渉計を用いたAWGの広帯域化(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 希土類添加光ファイバとその応用
- B-10-73 平面光波回路を用いた広利得可変域EDFA(B-10. 光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- PLCを用いたCDC-ROADM向け光信号集約スイッチ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- PLCを用いたCDC-ROADM向け光信号集約スイッチ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- PLCを用いたCDC-ROADM向け光信号集約スイッチ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-3-56 相補型周波数シフタを用いたデュアルキャリア光変調器(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)