II 各種レーザー : 半導体レーザー (<特集> 量子エレクトロニクスの現状と将来)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1988-07-05
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
末松 安晴
東京工業大学
-
末松 安晴
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
浅田 雅洋
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
関連論文
- 卓越技術データベースの構築と発信 : 愛称「電気のデジタル博物館」http://www.dbjet.jp
- スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 卓越技術データベースの構築と発信 : 愛称「電気のデジタル博物館」http://www.dbjet.jp(情報ネット-いま,学会では-)
- 卓越技術データベースの構築と発信 : 愛称 : 電気のデジタル博物館
- 電子デバイスによる室温テラヘルツ発振 (特集 2011年研究開発の動向と最前線)
- 共鳴トンネルダイオードとスロットアンテナを用いたミリ波・サブミリ波発振素子の発振特性とバイアスによる周波数可変性(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 共鳴トンネルダイオードとスロットアンテナを用いたミリ波・サブミリ波発振素子の発振特性とバイアスによる周波数可変性
- 共鳴トンネルダイオードによるサブテラヘルツ : テラヘルツ発振器
- 卓越技術データベースの構築と発信 : 愛称「電気のデジタル博物館」http://www.dbjet.jp
- 卓越技術データベースの構築と発信 : 愛称「電気のデジタル博物館」http://www.dbjet.jp
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
- Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)
- ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
- Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)
- ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- Si(100)基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- Si(100)基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の構造依存性
- ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の構造依存性
- ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード
- ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード
- Epitaxial Growth and Electrical Characteristics of CaF_2/Si/CaF_2 Resonant Tunneling Diode Structures Grown on Si(111)1°-off Substrate
- 電子映像表示の時代へ
- 超高速長距離光通信の基礎研究 : 動的単一モードレーザーの概念とその実現を中心にして
- 3. 発想の実現(1000号記念「夢・創・想・感」)
- 動的単一モード半導体レーザーの概念形成とその実現 : 超高速長距離光ファイバー通信の基礎研究
- 情報通信技術のキーデバイスに発展した電子映像表示 : 高柳健次郎によるテレビジョン開拓期の初の「イ」の字のブラウン管電子映像表示とその影響
- 光エレクトロニクスへの期待
- 特集にあたって
- 巻頭言
- 映像情報メディア学会会長就任挨拶
- 光ファイバの伝送特性 (光ファイバ通信)
- 外部に高屈折率層の付いたレンズ状媒質の姿態フィルタ特性
- 薄膜レンズ状導波路の集束特性
- プリズム結合器 (光ICへの光結合法(技術ノ-ト))
- 導波路形光共振器 (レ-ザ-共振器(技術ノ-ト))
- 電子デバイスによる室温テラヘルツ発振
- CI-2-3 共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ発振(CI-2.テラヘルツ波源デバイスの現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 情報通信技術に於ける半導体レーザー
- 光と人 : 情報の媒介
- 大学の理工系分野をより魅力あるものに(大学の理工系分野の魅力向上を目指して)
- 二十一世紀に向けての工学系大学院の課題(工学系大学院における教育研究の進展)
- 技術の発展と学会
- 先端的情報技術開発に向けての人材養成 (情報処理教育)
- 最近の光通信技術の進歩
- 半導体光集積回路
- IOOC'79(1979光IC/光ファイバー国際会議)に出席して
- 1μm帯の光通信用半導体素子
- 長波長帯光通信と半導体レ-ザ
- レーザ光のドプラー偏移を用いる微小振動振幅測定
- 垂直型ショットキーソースドレインMOSFETの作製
- 垂直型ショットキーソースドレインMOSFETの作製
- Si-CaF_2及びCdF_2-CaF_2ヘテロ接合を用いたシリコン基板上共鳴トンネルダイオード
- Si-CaF_2及びCdF_2-CaF_2ヘテロ接合を用いたシリコン基板上共鳴トンネルダイオード
- シリコン基板上の結合チャネル型電界制御量子効果デバイスの解析
- Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス
- Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス
- Si基板上CoSi_2/Si/CdF_2/CaF_2ヘテロ構造を用いた極短チャネルトンネルFETの静特性と動作時間解析
- C-10-8 負性抵抗デュアルチャネルトランジスタを用いたテラヘルツ発振器の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 集積二重導波路形レ-ザの動作理論
- SOI基板上サブ50nm金属ゲートSchottky Source/Drain MOSFET
- シリコン基板上に形成した金属/絶縁体量子効果デバイス
- 金属(CoSi_2)/絶縁体(CaF_2)/Siヘテロ接合量子効果デバイス
- 金属(CoSi_2)/絶縁体(CaF_2)共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの等価回路モデルによる特性評価
- 共鳴トンネルダイオードを用いた室温テラヘルツ発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 金属/絶縁体ヘテロ接合電子デバイス
- 二次元電子ガスを用いた半導体クライストロン素子の作製とミリ波帯における特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 二次元電子ガスを用いた半導体クライストロン素子の作製とミリ波帯における特性評価
- CS-11-6 量子効果電子デバイスによるTHz波発生(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- 2.テラヘルツ波の発生 : 電子デバイスからのアプローチ(テラヘルツテクノロジー-未知の電磁波がもたらすブレークスルー-)
- ラウンドテーブル 光情報通信ネットワーク技術の発展
- 光エレトロニクスの30年を振り返って
- 高精度半導体結晶成長制御技術による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の実現 (特集 NTT R&Dのオープンイノベーションをリードする大学連携)
- Dependence of Drain Current on Gate Oxide Thickness of P-Type Vertical PtSi Schottky Source/Drain Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors(Semiconductors)
- 学術研究フォーラムの発足に際して (特集 学術研究フォーラム)
- 大学と研究[1]
- II 各種レーザー : 半導体レーザー ( 量子エレクトロニクスの現状と将来)
- 私とJJAP : JJAPとのおつきあい雑感
- 共鳴トンネル構造における光支援トンネルとテラヘルツデバイス
- 電子デバイスによる室温テラヘルツ発振
- 外部高屈折率層付姿態フィルタによる多姿態光ファイバの広帯域化
- グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 量子井戸構造のフォトンアシストトンネルとテラヘルツデバイス応用
- 量子井戸構造のフォトンアシストトンネルとテラヘルツデバイス応用
- 共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 進行波型一方向性増幅器の一般的解析と固体テラヘルツ素子の可能性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- Nonlinear Terahertz Gain Estimated from Multiphoton-Assisted Tunneling in Resonant Tunneling Diodes : Surfaces, Interfaces, and Films
- Density-Matrix Modeling of Terahertz Photon-Assisted Tunneling and Optical Gain in Resonant Tunneling Structures : Semiconductors
- 半導体レーザの歩み : 光エレクトロニクスのキーデバイスとして(1900年代の技術を振り返る)
- 1.5μm長波長帯広帯域光通信基礎研究の私的経験(光エレクトロニクスの30年を振り返って)
- 1.光デバイスの研究動向(光デバイス)
- 将来展望 (光伝送技術特集)
- ストライプ状半導体レーザの発振姿態と姿態制御
- 多姿態誘電体光導波路の屈折率分布と群遅延特性
- 共鳴トンネルダイオードのテラヘルツ発振とレーザー光照射による出力の変調