ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
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概要
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共鳴トンネルダイオード(RTD)は強い非線形性と高速動作性から高周波回路・高機能論理回路への応用が期待されている。CaF_2/CdF_2ヘテロ構造は2.3eV以上の大きな伝導帯バンド不連続をもちシリコン基板上にエピタキシャル成長が可能な材料であり、Si-LSIとRTDとの集積化の実現へ向けて大ききな可能性を持った材料である。Si-LSIとの集積化を行うためにはSi(100)基板上へのヘテロ構造形成が必要となるが、(111)面に比べ良好な結晶性が得にくくPVCRが小さいという問題があった。今回CaF_2障壁層のアニールとナノ領域成長を併用することで10^6という(111)と同等の大きなPVCRを得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-20
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
藤井 諒
東工大総理工
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
金澤 徹
東工大総理工
-
諸澤 篤史
東工大総理工
-
和田 宇史
東工大総理工
-
渡辺 正裕
東工大総理工
-
浅田 雅洋
東工大総理工
-
Watanabe M
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
Asada Masahiro
The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te
-
Watanabe Mahiko
Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
Watanabe M
Nec Corp. Ibaraki Jpn
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構SORST
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