金澤 徹 | 東工大総理工
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概要
関連著者
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浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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金澤 徹
東工大総理工
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Watanabe M
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
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Watanabe Mahiko
Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University
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Watanabe M
Nec Corp. Ibaraki Jpn
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浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構SORST
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金澤 徹
東京工業大学
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自念 圭輔
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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松田 克己
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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藤井 諒
東工大総理工
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諸澤 篤史
東工大総理工
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和田 宇史
東工大総理工
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渡辺 正裕
東工大総理工
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浅田 雅洋
東工大総理工
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田村 信平
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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藤岡 裕智
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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石川 達也
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理情報システム創造専攻
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Asada Masahiro
The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te
-
石川 達也
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理情報システム創造専攻
著作論文
- ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
- ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
- ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- Si(100)基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- Si(100)基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の構造依存性
- ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の構造依存性
- ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード
- ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード