金属(CoSi_2)/絶縁体(CaF_2)共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの等価回路モデルによる特性評価
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概要
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金属/絶縁体ヘテロ構造は、金属の高キャリア濃度及び絶縁体の低い誘電率といった高速電子デバイスの材料としての可能性を持ち、また、ヘテロ界面での大きな伝導体バンド不連続(10eV)により、半導体に比べ顕著な量子干渉効果が期待されることから、我々は量子干渉を用いた超高速電子デバイスを提案するとともに、単結晶成長技術を確立し、これまでに共鳴トンネルダイオード、共鳴トンネルトランジスタの動作を確認し、さらにコレクタ障壁(OaF_2)の伝導体での共鳴現象によりコレクタ電流が複数の微分負性抵抗を持つ共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの作製を行った。作製したトランジスタは理論特性と異なり、微分負性抵抗のP/V比が小さく、コレクタ電圧の高い領域でしか発生しなかった。本報告では、作製したトランジスタを理想的な素子と寄生素子を組み合わせた等価回路に見立てて、この等価回路の特性を評価することにより寄生素子の見積もりとその影響を明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
齋藤 渉
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
斎藤 渉
東京工業大学工学部電気・電子工学科
-
末益 崇
東京工業大学 工学部:筑波大学物質工学系
-
河野 義史
東京工業大学工学部
-
漉辺 正裕
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
齋藤 渉
東京工業大学 工学部 電気電子工学科
-
河野 義史
東京工業大学 工学部
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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