ED2012-104 量子井戸の薄層化と深化による共鳴トンネルダイオードのテラヘルツ発振周波数上昇(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaInAs/AlAs二重障壁共鳴トンネルダイオード(RTD)を用いたテラヘルツ発振器において、量子井戸層の薄層化と深化により、バイアス電圧を増加させることなく、発振周波数の上昇を得た。発振周波数と出力の上昇は井戸層の薄層化による共鳴トンネル領域滞在時間の短縮を用いて可能となっているが、バイアス電圧も上昇することが問題であった。本報告ではバイアス電圧の上昇を抑えさらには低下させるために、薄層化とともに井戸層にインジウム組成の大きいInGaAsを用いて井戸の底を下げる方法を導入した。量子井戸層のインジウム組成が0.8と0.9で、井戸幅がそれぞれ3.5および3nmの2つのRTDを用いた。後者において薄層化および深化した量子井戸が用いられている。電流ピークにおけるバイアス電圧は、深い井戸を用いないRTDでは0.31Vであったが、深い井戸のRTDでは薄い井戸幅にもかかわらず0.28Vとやや低い値となった。これらのRTDに20ミクロンのスロットアンテナを集積して発振器を作製した。得られた発振周波数の最大値は、薄層化および深化した井戸層とそうでない場合で、それぞれ1.27および0.96THzであり、井戸層の薄層化により発振周波数が上昇した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-12-10
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
金谷 英敏
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
鈴木 左文
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
金谷 英敏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
曽我部 陸
東京工業大学大学院総合理工学研究科
関連論文
- スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 共鳴トンネルダイオードとスロットアンテナを用いたミリ波・サブミリ波発振素子の発振特性とバイアスによる周波数可変性(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 共鳴トンネルダイオードによるサブテラヘルツ : テラヘルツ発振器
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
- Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)
- ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
- Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)
- ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- Si(100)基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- Si(100)基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の構造依存性
- ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の構造依存性
- ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード
- ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード
- CI-2-3 共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ発振(CI-2.テラヘルツ波源デバイスの現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 垂直型ショットキーソースドレインMOSFETの作製
- 垂直型ショットキーソースドレインMOSFETの作製
- Si-CaF_2及びCdF_2-CaF_2ヘテロ接合を用いたシリコン基板上共鳴トンネルダイオード
- Si-CaF_2及びCdF_2-CaF_2ヘテロ接合を用いたシリコン基板上共鳴トンネルダイオード
- シリコン基板上の結合チャネル型電界制御量子効果デバイスの解析
- Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス
- Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス
- Si基板上CoSi_2/Si/CdF_2/CaF_2ヘテロ構造を用いた極短チャネルトンネルFETの静特性と動作時間解析
- C-10-8 負性抵抗デュアルチャネルトランジスタを用いたテラヘルツ発振器の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- SOI基板上サブ50nm金属ゲートSchottky Source/Drain MOSFET
- シリコン基板上に形成した金属/絶縁体量子効果デバイス
- 金属(CoSi_2)/絶縁体(CaF_2)/Siヘテロ接合量子効果デバイス
- 金属(CoSi_2)/絶縁体(CaF_2)共鳴トンネルホットエレクトロントランジスタの等価回路モデルによる特性評価
- 共鳴トンネルダイオードを用いた室温テラヘルツ発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 金属/絶縁体ヘテロ接合電子デバイス
- 二次元電子ガスを用いた半導体クライストロン素子の作製とミリ波帯における特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CS-11-6 量子効果電子デバイスによるTHz波発生(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- 2.テラヘルツ波の発生 : 電子デバイスからのアプローチ(テラヘルツテクノロジー-未知の電磁波がもたらすブレークスルー-)
- 高精度半導体結晶成長制御技術による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の実現 (特集 NTT R&Dのオープンイノベーションをリードする大学連携)
- II 各種レーザー : 半導体レーザー ( 量子エレクトロニクスの現状と将来)
- 私とJJAP : JJAPとのおつきあい雑感
- 共鳴トンネル構造における光支援トンネルとテラヘルツデバイス
- 電子デバイスによる室温テラヘルツ発振
- グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 量子井戸構造のフォトンアシストトンネルとテラヘルツデバイス応用
- 量子井戸構造のフォトンアシストトンネルとテラヘルツデバイス応用
- 共鳴トンネルダイオードの室温テラヘルツ発振(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 進行波型一方向性増幅器の一般的解析と固体テラヘルツ素子の可能性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- 共鳴トンネルダイオードのテラヘルツ発振とレーザー光照射による出力の変調
- ED2012-104 量子井戸の薄層化と深化による共鳴トンネルダイオードのテラヘルツ発振周波数上昇(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CI-3-5 共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の進展と分析応用への展開(CI-3.環境・生体計測のための光デバイス,ソサイエティ企画)