SOI基板上サブ50nm金属ゲートSchottky Source/Drain MOSFET
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概要
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MOSFETの極短チャネル化に伴い、ソース/ドレインに金属を用いることで極浅低抵抗の接合が形成できるSchottky Source/Drain MOSFETが一つの選択肢として提案されている。今回、SOI構造を用いた極短チャネル素子の特性を解析し、ゲート絶縁膜厚1nm、SOI層厚3nmでチャネル長15nm程度まで短チャネル効果が抑制されることを理論的に示した。SIMOX基板上にErSi_2(n型)、PtSi(p型)でソース/ドレインを形成したサブ50nm金属ゲートSchottky Source/Drain MOSFETを作製し、室温動作を確認した。p型素子においては、チャネル長35nmでドレイン電流-176μA/μm、相互コンダクタンス390mS/mm(V_Ds=V_Gs=-1・5V)と、通常のMOSFETとほば同等の性能が得られた。また、SOI構造を用いることによるon/off比の向上も得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
齋藤 渉
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
斎藤 渉
東京工業大学工学部電気・電子工学科
-
伊藤 淳
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
山上 滋春
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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