シリコン基板上の結合チャネル型電界制御量子効果デバイスの解析
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概要
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極微細素子は, 高速高密度集積回路の実現に不可欠であり, 量子効果を利用した素子は, その多機能動作から集積回路の簡素化の候補として挙げられてきた. 特に, Siをべースとした電界制御型でプレーナー形状の量子効果デバイスは、このための素子として有望であるを考えられる。本報告では, Si基板上に結晶成長可能なCoSi_2/CaF_2/Si/CdF_2ヘテロ構造を使った, 結合性電子波路干渉素子を提案する. この素子は, 電子波のチャネル干渉を利用することで多機能動作すると期待され, 静特性解析を行なったところ室温においてゲート長20nmで微分負性抵抗が得られた.
- 1997-08-13
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
齋藤 渉
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
斎藤 渉
東京工業大学工学部電気・電子工学科
-
山崎 克之
東京工業大学 工学部 電気電子工学科
-
筒井 将史
東京工業大学 工学部 電気電子工学科
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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