筒井 将史 | 東京工業大学 工学部 電気電子工学科

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概要

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関連著者

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 筒井 将史

  東京工業大学 工学部 電気電子工学科

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 齋藤 渉

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 斎藤 渉

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 山崎 克之

  東京工業大学 工学部 電気電子工学科

• 渡辺 正裕

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• Watanabe M

  Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn

• Watanabe Mahiko

  Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University

• 青木 雄一

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 西山 淳

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• Watanabe M

  Nec Corp. Ibaraki Jpn

• 齋藤 渉

  東京工業大学 工学部 電気電子工学科

• 長井 利明

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 長井 利明

  東京工業大学 工学部 電気電子工学科

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著作論文

• 垂直型ショットキーソースドレインMOSFETの作製
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• Si-CaF_2及びCdF_2-CaF_2ヘテロ接合を用いたシリコン基板上共鳴トンネルダイオード
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• シリコン基板上の結合チャネル型電界制御量子効果デバイスの解析
• Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス
• Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス
• Si基板上CoSi_2/Si/CdF_2/CaF_2ヘテロ構造を用いた極短チャネルトンネルFETの静特性と動作時間解析

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