山崎 克之 | 東京工業大学 工学部 電気電子工学科

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概要

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関連著者

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 齋藤 渉

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 斎藤 渉

  東京工業大学工学部電気・電子工学科

• 山崎 克之

  東京工業大学 工学部 電気電子工学科

• 筒井 将史

  東京工業大学 工学部 電気電子工学科

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 青木 雄一

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 渡辺 正裕

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• Watanabe M

  Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn

• 西山 淳

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• Watanabe Mahiko

  Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University

• 齋藤 渉

  東京工業大学 工学部 電気電子工学科

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著作論文

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• Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス
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• Si基板上CoSi_2/Si/CdF_2/CaF_2ヘテロ構造を用いた極短チャネルトンネルFETの静特性と動作時間解析

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