宇野 武彦 | 神奈川工科大
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概要
関連著者
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宇野 武彦
神奈川工科大
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野毛 悟
神奈川工科大学
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野毛 悟
沼津工業高等専門学校電気電子工学科
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宇野 武彦
神奈川工科大学電気電子工学科
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宇野 武彦
神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科
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野毛 悟
沼津工業高等専門学校
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宇野 武彦
神奈川工科大学電気電子情報工学科
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野毛 悟
沼津工業高専電気電子工学科
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字野 武彦
神奈川工科大学 電気電子工学科
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野毛 悟
沼津工業高専 電気電子工学科
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霜鳥 寛崇
神奈川工科大学 電気電子工学科
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城石 誠
神工大
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城石 誠
神奈川工科大学電気電子工学科
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笠原 慧
神奈川工科大
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藤塚 俊
神奈川工科大学 電気電子工学科
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栗田 美絵
神奈川工科大学電気電子工学科
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藤塚 俊
神奈川工科大学電気電子情報工学科
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武藤 星児
神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科
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武藤 星児
神奈川工科大学
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宇野 武彦
神奈川工科大工
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洪 哲雲
神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
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宝川 幸司
神奈川工科大工学部
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兼城 千波
神奈川工科大学工学部
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青木 裕介
ハイテクリサーチセンター
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黄 啓新
神奈川工科大学工学部
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青木 裕介
神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
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黄 啓新
神工大工学部
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大田 修
神奈川工科大学電気電子工学科
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兼城 千波
神奈川工科大・工
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植岡 康茂
三菱マテリアル(株)
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青木 裕介
三重大学 大学院工学研究科電気電子工学専攻
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青木 祐介
神奈川工科大学ハイテクリサーチセンター
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田代 博之
神奈川工科大
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宝川 幸司
神奈川工科大学工学部
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神山 栄治
三菱マテリアル(株)
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黄 啓新
神奈川工科大学ホームエレクトロニクス開発学科
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Komine Kenji
Advanced Technology Research Laboratory Meidensha Corporation
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黄 啓新
神奈川工科大学
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Kamiyama Eiji
Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation, 314 Nishi-Sangao, Noda, Chiba 278-0015, Japan
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野毛 悟
沼津高専電気電子工
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霜鳥 寛崇
神奈川工科大学電気電子工学科
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青木 祐介
神奈川工科大学工学部
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青木 裕介
神奈川工科大学 ハイテクリサーチセンター
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宇野 武彦
日本電信電話公社横須賀電気通信研究所
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霧島 寛崇
神奈川工科大学工学部電気電子工学科
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小貴 光太
NTT武蔵野通研
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梅原 猛
沼津工業高等専門学校専攻科制御・情報システム専攻
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梅原 猛
沼津工業高等専門学校専攻科
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井上 光輝
豊橋技術科学大学
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金 周映
豊橋技術科学大学
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金 周映
豊橋技術科学大学工学部環境生命工学系
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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美野 真司
Ntt光エレクトロニクス研究所
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阿部 宏
日本電信電話公社横須賀電気通信研究所
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新宅 敏宏
NTT光エレクトロニクス研究所
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館 彰之
NTT光エレクトロニクス研究所
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渋川 篤
NTT光エレクトロニクス研究所
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十文字 弘道
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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宮本 信英
日本電信電話公社横須賀電気通信研究所
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宇野 武彦
Ntt武蔵野通研
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ト部 周二
日本電信電話公社横須賀電気通信研究所
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小貴 光太
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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頭師 康高
神奈川工科大学工学部電気電子工学科
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宇野 武彦
神奈川工科大学工学部 電気電子情報工学科
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笠原 慧
神奈川工科大学工学部 電気電子情報工学科
著作論文
- 4価元素をドープした石英薄膜における可視光スペクトル
- LiNbO_3基板に形成したシリカ超構造薄膜の光学特性(材料デバイスサマーミーティング)
- シリカ系薄膜における可視発光(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 超格子構造シリカ薄膜における圧電および発光特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- コンタクトエピによる石英基板上への磁気光学薄膜形成
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
- 電流印加による水晶双晶化の促進
- 電流印加による水晶双晶化の促進
- 電流印加による水晶双晶化の促進
- 電流印加による水晶双晶化の促進
- ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-6-19 シリカ超構造薄膜における電子線発光(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 3P-25 β相水晶における共振特性の切断方位依存性(ポスターセッション)
- Ce置換YIG膜の構造と磁気光学特性
- β相水晶の圧電特性と温度センサへの応用
- A-11-6 β水晶による高温用温度センサの検討(A-11.超音波,一般セッション)
- C-6-6 弾性波励振用ホトダイオードの検討
- C-3-97 SiO_2 基板上に形成された Ce : YIG 薄膜の非相反移相特性
- C-6-13 ダイレクトボンドによるSiO_2基板へのCe : YIG薄膜形成
- C-6-9 SiO_2基板へのCe:YIG薄膜形成法と磁気光学特性の検討
- 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 超構造薄膜光導波路の形成と特性
- 3P1-16 LiNbO_3基板に形成した埋め込み光導波路のSAW伝搬特性(ポスターセッション)
- C-6-20 4価元素をドープした石英ガラス薄膜の可視光スペクトル(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- LiNbO_3基板に形成したシリカ超構造薄膜の光学特性(材料デバイスサマーミーティング)
- LiNbO_3基板に形成したシリカ超構造薄膜の光学特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 1-19 SAW共振器の小形・高Q化(一般講演)
- シリカ系薄膜における可視発光(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- シリカ系薄膜における可視発光(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- シリカ系薄膜における可視発光(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
- 高温相水晶の共振特性と温度センサへの応用
- C-6-4 下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-10 シリカ系ナノ人工格子薄膜の圧電性(C-6.電子部品・材料)
- P1-C-38 4価イオンドープシリカ薄膜の圧電性(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション1(概要講演))
- C-6-14 超音波センサの光アクセス化に関する実験的検討
- 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
- 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
- 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
- 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
- C-6-10 超構造薄膜の紫外照射分極(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- C-6-7 4価イオンをドープしたシリカ薄膜の可視発光特性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- C-6-6 シリカ系誘電体超格子薄膜の圧電特性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- P1-21 シリカ系誘電体超格子薄膜の諸特性(ポスターセッション1(概要講演))
- 超格子構造シリカ薄膜における圧電および発光特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 超格子構造シリカ薄膜における圧電および発光特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- PB2 水晶基板における双晶形成の過渡現象(ポスターセッション1)
- OC1 人工双晶水晶基板を用いた弾性波素子(超音波デバイス)
- PC4 圧電結合型BAWフイルタ(ポスタセッションC-概要講演・展示)
- 分極処理した4価金属ドープシリカ薄膜における圧電性と可視発光
- シリカ系超構造薄膜による可視発光と光増幅
- シリカ系超構造薄膜による可視発光と光増幅
- シリカ系超構造薄膜による可視発光と光増幅
- C-6-8 LiNbO_3単結晶薄膜の形成法(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-4 シリカ系超構造薄膜における発光スペクトル(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- CS-6-7 シリカ系誘電体超構造薄膜の発光(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- CS-6-6 シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- P-19 スパッタエッチングによるSAWデバイスの周波数調整(ポスター・セッション)
- I-3 公衆通信システムにおけるSAWデバイスの現状(招待講演)
- C-6-11 下地基板の影響を軽減した酸化物結晶薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法
- A-11-1 圧電振動の光による検出法の一検討
- QE06 光による弾性波振動高感度検出法の検討(ポスターセッションII)
- QE05 光起電圧による弾性波励振特性向上の検討(ポスターセッションII)
- US2000-32 / EMD2000-28 / CPM2000-43 / OME2000-38 超音波センサの光アクセス化に関する一検討
- US2000-32 / EMD2000-28 / CPM2000-43 / OME2000-38 超音波センサの光アクセス化に関する一検討
- US2000-32 / EMD2000-28 / CPM2000-43 / OME2000-38 超音波センサの光アクセス化に関する一検討
- US2000-32 / EMD2000-28 / CPM2000-43 / OME2000-38 超音波センサの光アクセス化に関する一検討
- 光アクセス超音波センサの基礎検討
- C-6-4 LiTaO_3およびLiNbO_3基板上への酸化物単結晶薄膜形成(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 高温相水晶の共振特性と温度センサへの応用
- C-6-6 コンタクトエピタクシーによる単結晶薄膜形成法の検討(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- LiNbO_3基板に形成したシリカ超構造薄膜の光学特性
- LiNbO_3基板に形成したシリカ超構造薄膜の光学特性
- LiNbO_3基板に形成したシリカ超構造薄膜の光学特性