電流印加による水晶双晶化の促進
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概要
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水晶基板に適当な処理を施すと, 任意の形状でX軸が反転した領域が形成される. 従来報告のx軸反転法は, 回転Yカット水晶板面上にクロムやニクロムなどの薄膜を設けて熱処理を施すもので, 薄膜の付着した部分のみ水晶のx軸が反転する. この方法では, x軸反転温度が膜の厚さや条件の微妙な差異のため, 反転温度に20℃以上のばらつきが生じる. 今回, 周囲温度はなるべく低い状態においてx軸反転を得る方法として, 水晶面上に形成した金属膜への通電によるジュール熱でのx軸反転を試み, 500℃程度の加熱温度でもx軸反転が可能であることが明らかになった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-04
著者
-
野毛 悟
神奈川工科大学
-
宇野 武彦
神奈川工科大学電気電子工学科
-
植岡 康茂
三菱マテリアル(株)
-
神山 栄治
三菱マテリアル(株)
-
宇野 武彦
神奈川工科大
-
Kamiyama Eiji
Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation, 314 Nishi-Sangao, Noda, Chiba 278-0015, Japan
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