C-6-10 シリカ系ナノ人工格子薄膜の圧電性(C-6.電子部品・材料)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-03-08

著者

• 野毛 悟

  神奈川工科大学

• 城石 誠

  神工大

• 宇野 武彦

  神奈川工科大

• 城石 誠

  神奈川工科大学電気電子工学科

関連論文

• 4価元素をドープした石英薄膜における可視光スペクトル
• ディジタルオーディオにおける伝送帯域拡大の効果に関する検討
• 96kHzサンプリングディジタルオーディオの音質評価に関する検討
• LiNbO_3基板に形成したシリカ超構造薄膜の光学特性(材料デバイスサマーミーティング)
• シリカ系薄膜における可視発光(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• 超格子構造シリカ薄膜における圧電および発光特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
• 平行平板モデルを用いたイヤホン測定時の漏洩効果の検討
• イヤホン装着時の漏洩効果の平行平板モデル近似
• US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
• コンタクトエピによる石英基板上への磁気光学薄膜形成
• US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
• US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
• US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
• 傾斜歩行時における歩行1サイクルの運動学的分析
• 電流印加による水晶双晶化の促進
• 電流印加による水晶双晶化の促進
• 電流印加による水晶双晶化の促進
• 電流印加による水晶双晶化の促進
• ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 道路騒音の計測・評価に対するラフネス, シャープネス等の適用について
• 聴覚品質を考慮した騒音評価に関する検討
• C-6-19 シリカ超構造薄膜における電子線発光(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 急傾斜の登り・下り歩行時の下肢筋群活動 : 重量負荷による影響
• 道路騒音の周波数スペクトル特性と作業効率について
• 登り歩行における筋放電パターンの分析 : 一定速度と至適速度の比較
• 傾斜歩行時の下肢関節運動の運動学的分析 : 登り歩行と下り歩行の比較
• マルチチャネルサラウンド音声再生における映像の寄与について
• カンチレバー形振動変位ピックアップとその応用
• 1)HDTVマルチチャネル音声3-1方式のモニタレベルと品質評価(放送現業研究会)
• HDTVマルチチャネル音声3-1方式のモニタレベルと品質評価 : 音声技術および一般 : 放送現業
• 頭内定位感覚に対する振動の寄与について : 視聴覚技術 : 聴覚、音声関係および一般
• 3P-25 β相水晶における共振特性の切断方位依存性(ポスターセッション)
• Ce置換YIG膜の構造と磁気光学特性
• 3P3-18 β相水晶を用いた高温センサー(ポスターセッション)
• β相水晶の圧電特性と温度センサへの応用
• A-11-6 β水晶による高温用温度センサの検討(A-11.超音波,一般セッション)
• C-6-6 弾性波励振用ホトダイオードの検討
• C-3-97 SiO_2 基板上に形成された Ce : YIG 薄膜の非相反移相特性
• P3-34 弾性波励振用フォトダイオードの検討(ポスターセッション3,ポスター発表)
• P1-4 4価イオン熱拡散石英ガラスの圧電性(ポスターセッション1,ポスター発表)
• C-6-13 ダイレクトボンドによるSiO_2基板へのCe : YIG薄膜形成
• C-6-9 SiO_2基板へのCe:YIG薄膜形成法と磁気光学特性の検討
• 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 超構造薄膜光導波路の形成と特性
• 3P1-16 LiNbO_3基板に形成した埋め込み光導波路のSAW伝搬特性(ポスターセッション)
• C-6-20 4価元素をドープした石英ガラス薄膜の可視光スペクトル(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• LiNbO_3基板に形成したシリカ超構造薄膜の光学特性(材料デバイスサマーミーティング)
• LiNbO_3基板に形成したシリカ超構造薄膜の光学特性(材料デバイスサマーミーティング)
• 光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• シリカ系薄膜における可視発光(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• シリカ系薄膜における可視発光(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• シリカ系薄膜における可視発光(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• C-6-4 下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• シリカ系ナノ人工格子薄膜の圧電性
• C-6-10 シリカ系ナノ人工格子薄膜の圧電性(C-6.電子部品・材料)
• P1-C-38 4価イオンドープシリカ薄膜の圧電性(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション1(概要講演))
• P1-C-32 弾性波の光による検出 : レーザ波長の微調効果の検討(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション1(概要講演))
• C-6-14 超音波センサの光アクセス化に関する実験的検討
• 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
• 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
• 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
• 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
• C-6-10 超構造薄膜の紫外照射分極(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• C-6-7 4価イオンをドープしたシリカ薄膜の可視発光特性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
• C-6-6 シリカ系誘電体超格子薄膜の圧電特性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
• P1-21 シリカ系誘電体超格子薄膜の諸特性(ポスターセッション1(概要講演))
• 超格子構造シリカ薄膜における圧電および発光特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
• 超格子構造シリカ薄膜における圧電および発光特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
• 分極処理した4価金属ドープシリカ薄膜における圧電性と可視発光
• C-6-8 LiNbO_3単結晶薄膜の形成法(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-4 シリカ系超構造薄膜における発光スペクトル(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• 石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• CS-6-7 シリカ系誘電体超構造薄膜の発光(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• CS-6-6 シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• C-6-11 下地基板の影響を軽減した酸化物結晶薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法
• A-11-1 圧電振動の光による検出法の一検討
• QE06 光による弾性波振動高感度検出法の検討(ポスターセッションII)
• QE05 光起電圧による弾性波励振特性向上の検討(ポスターセッションII)
• US2000-32 / EMD2000-28 / CPM2000-43 / OME2000-38 超音波センサの光アクセス化に関する一検討
• US2000-32 / EMD2000-28 / CPM2000-43 / OME2000-38 超音波センサの光アクセス化に関する一検討
• US2000-32 / EMD2000-28 / CPM2000-43 / OME2000-38 超音波センサの光アクセス化に関する一検討
• US2000-32 / EMD2000-28 / CPM2000-43 / OME2000-38 超音波センサの光アクセス化に関する一検討
• 光アクセス超音波センサの基礎検討
• 高温相水晶の共振特性と温度センサへの応用
• C-6-6 コンタクトエピタクシーによる単結晶薄膜形成法の検討(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク