P3-34 弾性波励振用フォトダイオードの検討(ポスターセッション3,ポスター発表)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
1J4-1 LiTaO_3トランスジューサを用いた横波SMRの検討(バルク波デバイス/弾性表面波デバイス)
-
1P3-9 LiTaO_3およびLiNbO_3基板上へのコンタクトエピタキシーによる磁気光学薄膜の形成(ポスターセッション)
-
C-6-6 弾性波励振用ホトダイオードの検討
-
C-3-97 SiO_2 基板上に形成された Ce : YIG 薄膜の非相反移相特性
-
P3-34 弾性波励振用フォトダイオードの検討(ポスターセッション3,ポスター発表)
-
P1-4 4価イオン熱拡散石英ガラスの圧電性(ポスターセッション1,ポスター発表)
-
C-6-13 ダイレクトボンドによるSiO_2基板へのCe : YIG薄膜形成
-
C-6-9 SiO_2基板へのCe:YIG薄膜形成法と磁気光学特性の検討
-
2-04P-24 光増幅用シリカ系超構造薄膜の圧電基板上への形成(ポスターセッション 2)
-
2-01P-06 コンタクトエピタクシー法によるLiNbO_3薄膜の方位制御(ポスターセッション 2)
-
光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
-
光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
-
光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
-
光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
-
シリカ系ナノ人工格子薄膜の圧電性
-
C-6-10 シリカ系ナノ人工格子薄膜の圧電性(C-6.電子部品・材料)
-
P1-C-38 4価イオンドープシリカ薄膜の圧電性(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション1(概要講演))
-
P1-C-32 弾性波の光による検出 : レーザ波長の微調効果の検討(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション1(概要講演))
-
C-6-14 超音波センサの光アクセス化に関する実験的検討
-
4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
-
4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
-
4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
-
4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
-
P3-16 シリカ系超構造薄膜の特性向上の検討(ポスターセッション3(概要講演))
-
P1-57 光を用いた集積化振動子の励振と検出の高周波化(ポスターセッション1(概要講演))
-
P1-9 SMR応用デバイスの提案(ポスターセッション1(概要講演))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク